1.一种应用于锁相环系统的宽匹配范围电荷泵，其特征在于，包括：充电电流补偿电路(1)、电荷泵核心电路(2)及放电电流补偿电路(3)，其中，所述充电电流补偿电路(1)的信号输出端接所述电荷泵核心电路(2)的信号输入端，所述电荷泵核心电路(2)的信号输出端分别接所述充电电流补偿电路(1)的信号输入端及所述放电电流补偿电路(3)的信号输入端，所述放电电流补偿电路(3)的信号输出端接所述电荷泵核心电路(2)的信号输入端，所述充电电流补偿电路(1)主要通过PMOS管M13、传输门T1为所述电荷泵核心电路(2)提供充电补偿电流，所述放电电流补偿电路(3)主要通过传输门T6、NMOS管M18在内的元器件为所述电荷泵核心电路(2)提供放电补偿电流，所述电荷泵核心电路(2)主要通过传输门T4、传输门T5、电路输出端VC为锁相环系统的滤波电路提供充放电流。

2.根据权利要求1所述的一种应用于锁相环系统的宽匹配范围电荷泵，其特征在于，所述充电电流补偿电路(1)包括：PMOS管M13、PMOS管M14、NMOS管M15、PMOS管M19、放大器OP2、放大器OP5以及传输门T1，其中PMOS管M14的源极分别与PMOS管M13的源极以及外部电源VDD相连，PMOS管M14的栅极分别与PMOS管M13的栅极、PMOS管M14的漏极以及NMOS管M15的漏极相连，NMOS管M15的源极分别与放大器OP2的输出端以及放大器OP2的反相输入端相连，放大器OP5的反相输入端分别与放大器OP5的输出端以及PMOS管M19的源极相连，PMOS管M19的漏极与传输门T1的输入端相连，传输门T1的一控制端与信号控制端UP相连，传输门T1的另一控制端与信号控制端 相连。

3.根据权利要求1所述的一种应用于锁相环系统的宽匹配范围电荷泵，其特征在于，所述电荷泵核心电路(2)包括：电流源IR1、电流源IR2、NMOS管M1、NMOS管M2、PMOS管M3、PMOS管M4、PMOS管M5、PMOS管M6、NMOS管M7、NMOS管M8、NMOS管M9、NMOS管M10、PMOS管M11、PMOS管M12、传输门T2、传输门T3、传输门T4、传输门T5以及放大器OP1，其中电流源IR1的一端分别接PMOS管M4的源极、PMOS管M5的源极、PMOS管M11的源极、PMOS管M12的源极以及外部电源VDD相连，电源IR1的另一端分别与NMOS管M1的漏极、NMOS管M1的栅极以及NMOS管M2的栅极相连，PMOS管M4的漏极与PMOS管M3的源极相连，PMOS管M3的漏极分别与PMOS管M4的栅极、PMOS管M5的栅极、PMOS管M13的漏极以及NMOS管M2的漏极相连，PMOS管M3的栅极分别与PMOS管M6的栅极、PMOS管M19的栅极、PMOS管M16的栅极以及偏置端VB1相连，PMOS管M5的漏极与PMOS管M6的源极相连，PMOS管M6的漏极分别与放大器OP5的同相输入端、传输门T2的输入端以及传输门T4的输入端相连，传输门T2的一控制端与信号控制端DN相连，传输门T2的另一控制端与信号控制端 相连，传输门T2的输出端分别与放大器OP1的输出端、放大器OP1的反相输入端以及传输门T3的输入端相连，传输门T3的一控制端与信号控制端UP相连，传输门T3的另一控制端与信号控制端 相连，传输门T4的一控制端与信号控制端UP相连，传输门T4的另一控制端与信号控制端 相连，传输门T4的输出端分别与传输门T1的输出端、放大器OP2的同相输入端、放大器OP1的同相输入端、传输门T5的输入端、放大器OP3的同相输入端、传输门T6的输入端以及电荷泵输出端VC相连，传输门T5的一控制端与信号控制端DN相连，传输门T5的另一控制端与信号控制 相连，传输门T5的输出端分别与传输门T3的输出端、放大器OP4的同相输入端以及NMOS管M7的漏极相连，NMOS管M7的栅极分别与NMOS管M9的栅极、NMOS管M20的栅极、NMOS管M15的栅极以及偏置端VB2相连，NMOS管M7的源极与NMOS管M8的漏极相连，NMOS管M8的栅极分别与NMOS管M10的栅极、NMOS管M9的漏极、NMOS管M18的漏极以及PMOS管M11的漏极相连，NMOS管M9的源极与NMOS管M10的漏极相连，PMOS管M12的栅极分别与PMOS管M11的栅极、PMOS管M12的漏极以及电流源IR2的一端相连，电流源IR2的另一端分别与NMOS管M1的源极、NMOS管M2的源极、NMOS管M8的源极、NMOS管M10的源极以及外部地线GND相连。

4.根据权利要求1所述的一种应用于锁相环系统的宽匹配范围电荷泵，其特征在于，所述放电电流补偿电路(3)包括：PMOS管M16、NMOS管M17、NMOS管M18、NMOS管M20、放大器OP3、放大器OP4以及传输门T6，其中放大器OP3的反相输入端分别与放大器OP3的输出端以及PMOS管M16的源极相连，PMOS管M16的漏极分别与NMOS管M17的漏极、NMOS管M17的栅极以及NMOS管M18的栅极相连，NMOS管M17的源极分别与NMOS管M18的源极以及外部地线GND相连，传输门T6的一控制端与信号控制端DN相连，传输门T6的另一控制端与信号控制端 相连，传输门T6的输出端与NMOS管M20的漏极相连，NMOS管M20的源极分别与放大器OP4的输出端以及放大器OP4的反相输入端相连。

5.根据权利要求2所述的一种应用于锁相环系统的宽匹配范围电荷泵，其特征在于，所述充电电流补偿电路(1)中，PMOS管M13、PMOS管M14、NMOS管M15、放大器OP2构成低电压区域充电电流的补偿电路，提高充电电流在低电压区域的匹配范围，放大器OP2构成单位增益负反馈使得其NMOS管M15的源极电压等于电荷泵输出端VC的电压VC，当电荷泵输出端VC的电压VC较低时，NMOS管M15开启且其漏极电流 其中，μn为电子迁移率，Cox为单位面积栅氧化层电容，(W/L)15为NMOS管M15的沟道宽长比，VB2为偏置端VB2的电压，VTHn为NMOS管的阈值电压，PMOS管M13与PMOS管M14完全相同，PMOS管M13的漏极电流I13与PMOS管M14的漏极电流I14有I13＝I14＝I15。

6.根据权利要求5所述的一种应用于锁相环系统的宽匹配范围电荷泵，其特征在于，所述充电电流补偿电路(1)中，放大器OP5、PMOS管M19以及传输门T1构成高电压区域充电电流的补偿电路，提高充电电流在高电压区域的匹配范围，当电荷泵输出端VC的电压VC上升，所述电荷泵核心电路(2)中的PMOS管M6的漏极电压VA也上升，放大器OP5构成单位增益负反馈使得PMOS管M19的源极电压等于VA，当VA‑VB1>|VTHP|，PMOS管M19开启，其中VB1为偏置端VB1的电压，VTHP为PMOS管的阈值电压，则PMOS管M19的漏极电流其中，μp为空穴迁移率，Cox为单位面积栅氧化层电容，(W/L)19为PMOS管M19的沟道宽长比。

7.根据权利要求3所述的一种应用于锁相环系统的宽匹配范围电荷泵，其特征在于，所述电荷泵核心电路(2)中，流过电流源IR1与电流源IR2的电流相同且均等于IREF，NMOS管M1与NMOS管M2完全相同，PMOS管M4与PMOS管M5完全相同，PMOS管M3与PMOS管M6完全相同，则PMOS管M6的漏极电流I6＝IREF‑I15，其中I15为NMOS管M15的漏极电流；PMOS管M11与PMOS管M12完全相同，NMOS管M8与NMOS管M10完全相同，NMOS管M7与NMOS管M9完全相同，则NMOS管M7的漏极电流I7＝IREF‑I16，其中I16为PMOS管M16的漏极电流，信号控制端DN与信号控制端UP具有相反信号，信号控制端DN与信号控制端 具有相反信号，信号控制端UP与信号控制端具有相反信号。信号控制端UP为高电位、信号控制端DN为低电位时，传输门T4开启，传输门T5关闭，电荷泵充电电流IUP对锁相环系统的滤波电路进行充电(且IUP＝I6+I19)，电荷泵输出端VC的电压VC逐渐上升，其中I19为PMOS管M19的漏极电流，当电压VC为低电压时，PMOS管M19截止，NMOS管M15开启，NMOS管M15的电流I15对充电电流IUP进行补偿从而拓宽低电压区域的匹配范围；当电压VC为高电压时，NMOS管M15截止，PMOS管M19开启，PMOS管M19的电流I19对充电电流IUP进行补偿从而拓宽高电压区域的匹配范围。

8.根据权利要求7所述的一种应用于锁相环系统的宽匹配范围电荷泵，其特征在于，所述电荷泵核心电路(2)中，信号控制端UP为低电位、信号控制端DN为高电位时，电荷泵放电电流IDN对锁相环系统的滤波电路进行放电，且IDN＝I7+I20，其中I7为NMOS管M7的漏极电流，I20为NMOS管M20的漏极电流，电荷泵输出端VC的电压VC逐渐降低，当电压VC为高电位时，PMOS管M16开启，NMOS管M20截止，PMOS管M16的电流I16对放电电流IDN进行补偿从而拓宽高电压区域的匹配范围；当电压VC为低电位时，PMOS管M16截止，NMOS管M20开启，NMOS管M20的电流I20对放电电流IDN进行补偿从而拓宽低电压区域的匹配范围。

9.根据权利要求4所述的一种应用于锁相环系统的宽匹配范围电荷泵，其特征在于，所述放电电流补偿电路(3)中，PMOS管M16、NMOS管M17、NMOS管M18、放大器OP3构成高电压区域放电电流的补偿电路，提高放电电流在高电压区域的匹配范围，放大器OP3构成单位增益负反馈，使得PMOS管M16的源极电压等于电荷泵输出端VC的电压VC，当电荷泵输出端VC的电压VC较高时，PMOS管M16开启且其漏极电流 其中，μp为空穴迁移率，Cox为单位面积栅氧化层电容，(W/L)16为PMOS管M16的沟道宽长比，VB1为偏置端VB1的电压，VTHP为PMOS管的阈值电压。NMOS管M18与NMOS管M17完全相同，则NMOS管M18的漏极电流I18与NMOS管M17的漏极电流I17有I18＝I17＝I16。

10.根据权利要求9所述的一种应用于锁相环系统的宽匹配范围电荷泵，其特征在于，所述放电电流补偿电路(3)中，放大器OP4、NMOS管M20以及传输门T6构成低电压区域放电电流的补偿电路，提高放电电流在低电压区域的匹配范围，当电荷泵输出端VC的电压VC降低，所述电荷泵核心电路(2)中的NMOS管M7的漏极电压VB也降低，放大器OP4构成单位增益负反馈使得NMOS管M20的源极电压等于VB，当VB2‑VB>VTHn，NMOS管M20开启，则NMOS管M20的漏极电流 其中，μn为电子迁移率，Cox为单位面积栅氧化层电容，(W/L)20为NMOS管M20的沟道宽长比，VB2为偏置端VB2的电压，VTHn为NMOS管的阈值电压。