1.一种集成了本振泄露补偿网络的毫米波双平衡混频器，其特征在于：该混频器包括本振端变压器、二极管环、射频端变压器、本振匹配网络、射频匹配网络、中频匹配及滤波网络、本振泄露补偿网络、高频旁路电容；本振泄露补偿网络中第一电阻R1的一端与本振端口、本振匹配网络的一端连接，第一电阻R1的另一端与第一电容C1的一端连接，第一电容C1的另一端与传输线的一端连接，传输线的另一端与第二电容C2的一端连接，第二电容C2的另一端与第二电阻R2的一端连接，第二电阻R2的另一端与射频端口、射频匹配网络的一端连接；

其中，混频器的本振信号通过本振端变压器的初级线圈输入，射频信号通过射频端变压器的初级线圈输入；连接本振端变压器次级线圈的中心抽头接地，连接射频端变压器次级线圈的中心抽头引出中频信号，中频端高频旁路电容接地；本振泄露补偿电路连接在本振端口和射频端口之间。

2.根据权利要求1所述的集成了本振泄露补偿网络的毫米波双平衡混频器，其特征在于：到达混频器射频端口的固有本振泄露分量和额外本振泄露分量分别表示为：vLO1‑RF(t)＝VLO1cos(2πfLOt‑θ1)(1)

vLO2‑RF(t)＝VLO2cos(2πfLOt‑θ2)(2)

其中，t表示时间，fLO分别表示本振信号的频率，VLO1和VLO2分别为固有本振泄露分量和额外本振泄露分量的幅度，θ1和θ2分别为固有本振泄露分量和额外本振泄露分量的相位；因此，泄露到射频端口的总的本振分量为：vLO‑RF(t)＝VLO1cos(2πfLOt‑θ1)+VLO2cos(2πfLOt‑θ2)(3)

为抵消混频器射频端口的本振泄露分量从而提升混频器本振到射频端口的隔离度，需使经过本振泄露补偿网络的额外本振泄露分量幅度与固有本振泄露分量的幅度相等、但相位与固有本振泄露分量的相位相反，即满足VLO2＝VLO1，θ2＝θ1±(2n+1)π，其中n为自然数。

3.根据权利要求1‑2任一所述的集成了本振泄露补偿网络的毫米波双平衡混频器，其特征在于：所述二级管环包括二极管D1‑D4,本振泄露补偿网络包括电阻R1‑R2、电容C1‑C2、传输线；其中第一电阻R1和第二电阻R2的阻值相等，第一电容C1和第二电容C2的容值相等；本振泄露补偿网络中第一电阻R1的一端与本振端口、本振匹配网络的一端连接，第一电阻R1的另一端与第一电容C1的一端连接，第一电容C1的另一端与传输线的一端连接，传输线的另一端与第二电容C2的一端连接，第二电容C2的另一端与第二电阻R2的一端连接，第二电阻R2的另一端与射频端口、射频匹配网络的一端连接；本振变压器的初级线圈的一端接地，另一端与本振匹配网络的另一端连接；射频变压器的初级线圈的一端接地，另一端与射频匹配网络的另一端连接；本振变压器的次级线圈的一端与第一晶体管D1的阴极、第二晶体管D2的阳极连接，另一端与第三晶体管D3的阴极、第四晶体管D4的阳极连接，次级线圈中心抽头接地；

射频变压器的次级线圈的一端与第二晶体管D2的阴极、第三晶体管D3的阳极连接，另一端与第四晶体管D4的阴极、第一晶体管D1的阳极连接，次级线圈中心抽头与高频旁路电容C3的一端、中频匹配及滤波网络的一端连接；高频旁路电容C3的另一端接地，中频匹配及滤波网络的另一端接中频端口。