1.一种含氟噻吩衍生物聚合物薄膜PEDOT‑F，其特征在于：所述的含氟噻吩衍生物聚合物薄膜按照如下方法进行制备：在三电极电解池体系中，以3‑(N‑三氟乙酰氨基)噻吩和3,4‑乙烯二氧噻吩为单体，以高氯酸锂为支持电解质，以乙腈为电解溶剂，混合均匀得到电解液，以铂电极、氧化铟锡导电玻璃电极或氟掺杂氧化锡导电玻璃电极为工作电极，以铂电极为辅助电极，以银/氯化银电极为参比电极，在室温下采用恒电位法，在1.3～1.7V聚合电压条件下进行电化学聚合反应，当聚合电量达到0.05～0.2C时聚合结束，在‑1～‑0.7V负电位下脱掺杂50～70s，得到沉积在工作电极上的含氟噻吩衍生物的聚合物薄膜PEDOT‑F；所述的电解液中，所述的3‑(N‑三氟乙酰氨基)噻吩单体的浓度为1～10mmol/L，所述的3,4‑乙烯二氧噻吩单体的浓度为1～10mmol/L；所述的支持电解质高氯酸锂的浓度为0.01～0.1mol/L；

所述的3‑(N‑三氟乙酰氨基)噻吩的制备方法为：

将3‑氨基噻吩草酸盐溶于二氯甲烷溶液中，在三乙胺的作用下，得到游离态的3‑氨基噻吩反应液，然后将反应液冷却至0℃，缓慢滴加三氟乙酸酐，于室温下反应2～10h后，加入饱和碳酸氢钠溶液直至无气泡产生，得到反应混合液经分离纯化得到3‑(N‑三氟乙酰氨基)噻吩；所述的3‑氨基噻吩草酸盐、三乙胺、三氟乙酸酐的物质的量为1：1～5：1～3。

2.如权利要求1所述的含氟噻吩衍生物聚合物薄膜PEDOT‑F，其特征在于：所述的二氯甲烷与所述的3‑氨基噻吩草酸的物质的量比为20:1。

3.如权利要求1所述的含氟噻吩衍生物聚合物薄膜PEDOT‑F，其特征在于：所述的混合液的后处理方法为，将混合液用乙酸乙酯萃取3次，并合并有机相，将有机相用饱和氯化钠溶液洗涤3次，加入无水硫酸钠干燥，抽滤，旋蒸溶剂得到3‑(N‑三氟乙酰氨基)噻吩粗品；将得到的3‑(N‑三氟乙酰氨基)噻吩粗品溶于二氯甲烷拌样过柱，以柱层析分离，以体积比4:1的二氯甲烷和石油醚为展开剂，得到3‑(N‑三氟乙酰氨基)噻吩。

4.如权利要求1所述的含氟噻吩衍生物聚合物薄膜PEDOT‑F，其特征在于：所述的3‑(N‑三氟乙酰氨基)噻吩单体浓度为1mmol/L。

5.如权利要求1所述的含氟噻吩衍生物聚合物薄膜PEDOT‑F，其特征在于：所述的3,4‑乙烯二氧噻吩单体的浓度为5mmol/L。

6.如权利要求1所述的含氟噻吩衍生物聚合物薄膜PEDOT‑F，其特征在于：所述的支持电解质高氯酸锂的浓度为0.1mol/L。

7.如权利要求1所述的含氟噻吩衍生物聚合物薄膜PEDOT‑F，其特征在于：所述的工作电极为氧化铟锡导电玻璃电极；所述的辅助电极为铂电极。

8.如权利要求1所述的含氟噻吩衍生物的聚合物薄膜PEDOT‑F，其特征在于：所述的参比电极为双液接型银/氯化银电极，以饱和的氯化钾水溶液为第一液接，以所述的电解液为第二液接。

9.如权利要求1所述的含氟噻吩衍生物的聚合物薄膜PEDOT‑F，其特征在于：所述的恒电位法为：在1.4V电压下进行聚合，聚合电量为0.05C时聚合结束，在电解质溶液中‑0.8V电位下脱掺杂60s。

10.如权利要求1所述的含氟噻吩衍生物的聚合物薄膜PEDOT‑F在电致变色材料中的应用。