1.一种PN结硅片上CoP纳米颗粒的制备方法，其特征在于,包括以下步骤：

1)清洗硅片

将倒金字塔PN结硅片切割成条形片状样品，依次放入丙酮、乙醇和去离子水溶液中超声清洗10-20min，然后用氮气吹干，备用；

2)PN结硅片衬底上Co-O的合成

先配置乙酸钴和亚硫酸钠混合水溶液，磁力搅拌均匀，然后将步骤1)中清洗过的硅片放入所述乙酸钴和亚硫酸钠混合水溶液中，让所述混合水溶液在AM1.5光照条件下沉积

0.5-2h，随后取出硅片并清洗干净，即为Si/Co-O；

3)PN结硅片衬底上CoP纳米颗粒合成

将步骤2)得到的沉积有Co-O的PN结倒金字塔硅片放入装有0.4-1.6g次磷酸钠粉末的石英管，然后将所述石英管传入真空管式炉，在氮气保护下反应1-3小时，反应完毕后使其自然冷却，用氮气吹干即得到Si-CoP纳米颗粒光阴极。

2.根据权利要求1所述的一种PN结硅片上CoP纳米颗粒的制备方法，其特征在于，步骤

1)中所述倒金字塔PN结硅片电阻率为100-0.001Ω·cm。

3.根据权利要求1所述的一种PN结硅片上CoP纳米颗粒的制备方法，其特征在于，步骤

2)中所述乙酸钴和亚硫酸钠混合水溶液浓度为0.01-0.04mol/L。

4.根据权利要求1所述的一种PN结硅片上CoP纳米颗粒的制备方法，其特征在于，步骤

2)中所述光照强度为100-500mW/cm2。

5.根据权利要求1所述的一种PN结硅片上CoP纳米颗粒的制备方法，其特征在于，步骤

3)中所述真空管式炉反应温度为400℃。