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专利号: 2018100396670
申请人: 承德九合电子科技有限公司
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 控制;调节
更新日期:2025-12-11
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种低功耗无电阻基准电压源,包括启动电路和基准电压产生电路;所述启动电路包括:PMOS管M15,其源极连接电压VDD,栅极与漏极连接并连接PMOS管M16的源极;PMOS管M16的栅极与漏极连接并连接PMOS管M17的源极;PMOS管M17的漏极连接NMOS管M18的栅极和NMOS管M19的漏极,PMOS管M17的栅极连接NMOS管M19的栅极;NMOS管M18、M19的源极接地;所述基准源产生电路包括:PMOS管M5、M6、M12、M13、M14,NMOS管M1、M2、M3、M4、MR、M7、M8、M9、M10、M11;NMOS管M5、M6的源极连接电压VDD,M5的漏极连接M3、M4的栅极以及M3的漏极,M5的栅极连接M6的栅极、M18的漏极、M6的漏极、M4的漏极以及M12、M13、M14的栅极;NMOS管M1的漏极连接M3的源极以及M1、M2的栅极,M1的源极接地;NMOS管M2的漏极连接M4的源极,M2的源极连接NMOS管MR的漏极,MR的源极接地,MR的栅极连接M17、M19的栅极以及电压输出端vref;NMOS管M14的源极连接电压VDD,漏极连接M8的漏极以及M8、M7的栅极,M7的漏极连接M8、M9的源极,M7的源极接地;NMOS管M13的源极连接电压VDD,漏极连接M10的漏极以及M10、M9的栅极,M9的漏极连接M10、M11的源极;NMOS管M12的源极连接电压VDD,漏极连接M11的栅极和漏极以及电压输出端vref。

2.一种电源装置,所述电源装置包括如权利要求1所述的低功耗无电阻基准电压源,还包括分压电路、DC-DC控制电路、LDO控制电路、开关控制芯片,基准电压源的输出端连接分压电路,分压电路分别为DC-DC控制电路和LDO控制电路提供输入电压,DC-DC控制电路和LDO控制电路输出端连接开关控制芯片,开关控制芯片的输入端连接输入电压,输出端连接输出电压。