1.一种晶体生长过程高宽比控制方法，其特征在于，该方法是通过晶体生长系统实现的，所述的晶体生长系统包括生长装置、控制装置和基于视觉的尺寸检测装置；生长装置包括带夹套的育晶罐、测量育晶罐中生长溶液温度的热电阻、安装在育晶罐内的载晶架、带动载晶架正反转动的直流伺服电机、安装在育晶罐夹套内的电加热器；控制装置包括PLC、触摸屏、直流伺服驱动器、输入输出接口、计时器；基于视觉的尺寸检测装置包括光源、相机和计算机；

所述的一种晶体生长过程高宽比控制方法，具体包括以下步骤：(1)育晶罐中装入生长溶液，晶核放到载晶架上后，晶体生长系统进入运行准备状态，在触摸屏上进行初始设定值的设定：生长溶液温度TEM(0)，单位为℃，二位小数；生长溶液降温速率ΔTEM，单位为℃/小时，二位小数；载晶架顺时针旋转圈数N1(0)，整数；顺时针旋转速度n1(0)，单位为转/分钟，整数；顺时针停止时间T1(0)，单位为秒，一位小数；载晶架逆时针旋转圈数N2(0)，整数；逆时针旋转速度n2(0)，单位为转/分钟，整数；逆时针停止时间T2(0)，单位为秒，一位小数；旋转圈数上限Nmax，旋转圈数下限Nmin，旋转速度上限nmax，旋转速度下限nmin，停止时间上限Tmax，停止时间下限Tmin，生长溶液温度上限TEMmax，生长溶液温度下限TEMmin；k＝0，k是自然数，代表离散时刻，k∈[0,7200]；

(2)晶体生长系统进入自动运行状态，计时器T开始计时；

(3)PLC控制直流伺服电机带动载晶架以旋转速度n1(k)顺时针旋转N1(k)圈，然后停止T1(k)秒，再以旋转速度n2(k)逆时针旋转N2(k)圈，停止T2(k)秒；以此方法顺时针旋转、停止、逆时针旋转、停止，循环运行，使生长溶液与晶核充分接触；

顺时针旋转、停止和逆时针旋转、停止时通过基于视觉的尺寸检测装置在线检测晶体的尺寸：高度H(k)和宽度D(k)，单位为mm，一位小数；

PLC检测生长溶液的温度，通过控制育晶罐夹套内的电加热器先加热夹套中的水，再通过罐壁热交换使育晶罐内生长溶液的温度控制为TEM(k)，控制精度为±0.01℃；

(4)判断计时器T等于1小时是否成立，不成立则转到步骤(3)；成立则转到步骤(5)；

(5)判断计时器k<7200或TEM(k)

(6)判断 是否成立，成立则转到步骤(17)；不成立则转到步骤(7)；

(7)判断 是否成立，成立则 当n1(k)

>nmax则n1(k)＝nmax，转到步骤(8)；不成立则转到步骤(8)；

(8)判断 是否成立，成立则 当n2

(k)>nmax则n2(k)＝nmax，转到步骤(9)；不成立则转到步骤(9)；

(9)判断 是否成立，成立则 当N1

(k)>Nmax则N1(k)＝Nmax，转到步骤(10)；不成立则转到步骤(10)；

(10)判断 是否成立，成立则 当

N2(k)>Nmax则N2(k)＝Nmax，转到步骤(11)；不成立则转到步骤(11)；

(11)判断 是否成立，成立则 当T1

(k)

(12)判断 是否成立，成立则 当n1(k)

(13)判断 是否成立，成立则 当n2

(k)

(14)判断 是否成立，成立则 当N1

(k)

(15)判断 是否成立，成立则 当

N2(k)

(16)判断 是否成立，成立则 当T1(k)

>Tmax则T1(k)＝Tmax， 当T2(k)>Tmax则T2(k)＝Tmax，转到步骤(17)；不成立则转到步骤(17)；

(17)计时器T清零，TEM(k+1)＝TEM(k)-ΔTEM，n1(k+1)＝n1(k)，N1(k+1)＝N1(k)，T1(k+

1)＝T1(k)，n2(k+1)＝n2(k)，N2(k+1)＝N2(k)，T2(k+1)＝T2(k)，k＝k+1，计时器T开始计时；

转到步骤(3)；

(18)晶体生长结束。