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专利号: 2019105895966
申请人: 吉林师范大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 测量;测试
更新日期:2025-12-10
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种具有SERS活性的Ag/ZnS分层复合材料基底的制备方法,具体步骤如下:

1)采用结合模板法制备出均匀的二维有序六方密排聚苯乙烯胶体球阵列,该聚苯乙烯胶体球直径为500nm;

2)利用磁控溅射法在聚苯乙烯胶体球阵列模板上依次沉积50 nm厚的Ag 和5 40 nm厚~

的ZnS,得到Ag/ZnS二维有序的SERS活性基底材料;

其中,步骤2)的具体步骤如下:将Ag靶和ZnS靶分别装入磁控溅射腔体中的磁性靶位‑6

上,靶位偏角为0°,开始前背景气压需低于1.0×10 ,设置Ar气的气流量以控制工作气压在‑3

10 量级,Ag的溅射功率设置为10 W,溅射时间为5 min,ZnS的溅射功率为100 W,溅射时间为20 80min。

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2.根据权利要求1所述的具有SERS活性的Ag/ZnS分层复合材料基底的制备方法,其特征在于,步骤1)制备均匀的二维有序六方密排聚苯乙烯胶体球阵列的具体步骤如下:A、将体积比为1:2:6的氨水、过氧化氢、去离子水的混合溶液中加入尺寸为1 cm×1 cm的硅片加热至300℃煮沸10 min,待冷却后将硅片取出,加入适量去离子水或乙醇彻底清洗干净;将清洗好的硅片浸泡在去离子水中待用;

B、取聚苯乙烯胶体球与乙醇按1:1的比例混合滴加到浸泡在10 %浓度的十二烷基硫酸钠溶液中的亲水性硅片上;将硅片以45°倾斜角缓慢插入装满水的容器中,使亲水性硅片上的阵列膜转移到水面上;最后用步骤A中清洗好的硅片将水面上的阵列膜捞起,静态自然蒸发使之完全干燥,留作磁控溅射的基底材料。

3.一种根据权利要求1所述方法制备的具有SERS活性的Ag/ZnS分层复合材料基底,其特征在于,该基底以二维有序六方密排聚苯乙烯胶体球阵列为模板,依次沉积50 nm厚的Ag 和5 40 nm厚的ZnS,得到具有SERS活性的Ag/ZnS分层复合材料基底。

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