1.一种基于石墨烯的无芯片太赫兹识别标签，其特征在于：包括贵金属衬底层、下Topas介质层、下石墨烯层、中Topas介质层、中石墨烯层、上Topas介质层和上石墨烯层，所述贵金属衬底层、下Topas介质层、中Topas介质层和上Topas介质层从下到上依次层叠设置，所述上石墨烯层设置在上Topas介质层的上表面，所述中石墨烯层嵌设在上Topas介质层的底部且底面与中Topas介质层的上表面接触，所述下石墨烯层嵌设在中Topas介质层的底部且底面与下Topas介质层的上表面接触，所述下石墨烯层、中石墨烯层和上石墨烯层均为正方形的环状的掺杂石墨烯层，且中心均在同一条与贵金属衬底层垂直的垂直线上，所述下石墨烯层、中石墨烯层和上石墨烯层在平行于贵金属衬底表面的平面内的尺寸都不相同；

所述下石墨烯层、中石墨烯层和上石墨烯层的厚度均为0.35‑0.65nm；

所述下石墨烯层、中石墨烯层和上石墨烯层均为正方形的环状结构，所述下石墨烯层、中石墨烯层和上石墨烯层的环宽度均为0.11‑0.20μm；

所述上石墨烯层的外边长为1.02‑1.90μm，所述中石墨烯层的外边长为1.20‑2.22μm，所述下石墨烯层的外边长为2.18‑4.04μm；

所述上Topas介质层和中Topas介质层的厚度均为0.35‑0.65μm，下Topas介质层的厚度为12.60‑23.40μm，贵金属衬底层的厚度为2.80‑5.20μm；

设定对编码为“1”的环状石墨烯层进行高掺杂，对编码为“0”的环状石墨烯进行低掺杂，并且在吸收谱上设置吸收峰的阈值为40％，吸收率大于等于40％的编码为“1”，小于

40％的编码为“0”。

2.根据权利要求1所述的基于石墨烯的无芯片太赫兹识别标签，其特征在于：所述贵金属衬底层、下Topas介质层、中Topas介质层和上Topas介质层均为正方形结构。

3.根据权利要求2所述的基于石墨烯的无芯片太赫兹识别标签，其特征在于：所述贵金属衬底层、下Topas介质层、中Topas介质层和上Topas介质层的边长均为2.80‑5.2μm。

4.根据权利要求1所述的基于石墨烯的无芯片太赫兹识别标签，其特征在于：所述贵金属衬底层为金衬底层。