1.一种Cu3Sb(S，Se)4薄膜，其特征在于：原料为含铜化合物、含锑化合物、含硫化合物，由所述原料与溶剂混合固化后，经硒化退火处理所得。

2.一种Cu3Sb(S，Se)4薄膜的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：步骤1：铜锑硫源前驱体溶液的制备，将含铜化合物、含锑化合物、含硫化合物分别添加到溶剂中，搅拌均匀后分别得到溶液A、溶液B、溶液C；后将溶液B加入到溶液A中，混合均匀；

再与溶液C混合，得到铜锑硫源前驱体溶液；

步骤2：薄膜制备，将步骤2中得到的前驱体溶液涂敷到衬底上，烘干，即得；

步骤3：硒化处理，将步骤2中所制备的薄膜进行硒化处理，即得。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于：所述步骤3的硒化处理具体为：取封底石英管，封口端放置硒源，设为硒源区；开口端放置步骤2制备得到的薄膜，设为薄膜区；将硒源区和薄膜区设为不同的加热温度，进行硒化处理。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于：所述步骤3进一步为，硒源区的温度为

325～425℃，薄膜区的温度为300～500℃，退火时间为15～90min，气压为2～101.325KPa。

5.根据权利要求2所述的Cu3Sb(S，Se)4薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤2中的前驱体溶液采用旋涂法或提拉法或喷雾法涂敷到衬底上。

6.根据权利要求2所述的Cu3Sb(S，Se)4薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤1所述的衬底为钠钙玻璃、ITO玻璃、AZO玻璃、硼硅玻璃、康宁玻璃、石英玻璃、聚酰亚胺中的任一种。

7.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于：所述步骤1的含铜化合物、含锑化合物、含硫化合物浓度分别为0.01M～0.1M、0.02M～0.2M、0.04M～0.4M。

8.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于：所述步骤1的含铜化合物为硝酸铜、乙酸铜、氯化铜三种中的任一种，含锑化合物为氯化锑、硝酸锑、乙酸锑三种中的任一种，含硫化合物为硫脲、硫代乙酰胺、L-半胱氨酸中的一种或其组合，溶剂为乙二醇、乙二醇甲醚、二甲基亚砜中的一种或其组合。

9.根据权利要求2所述的Cu3Sb(S，Se)4薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤2的烘干温度为在100～500℃，时间为1～20min。

10.一种权利要求1所述的Cu3Sb(S，Se)4薄膜在太阳能电池上的应用。