1.一种锗酸锂铷非线性光学晶体，其特征在于，该晶体的化学式为LiRbGe2O5，分子量

317.59，不具有对称中心，属正交晶系，空间群Pca21，晶胞参数为

2.根据权利要求1所述的锗酸锂铷非线性光学晶体的制备方法，其特征在于，采用高温熔液法或者提拉法生长锗酸锂铷非线性光学晶体。

3.根据权利要求2所述的锗酸锂铷非线性光学晶体的制备方法，其特征在于，所述锗酸锂铷非线性光学晶体采用高温熔液法或者提拉法制备，过程包括：a、将锗酸锂铷单相多晶粉末与助熔剂的混合物，升温至熔化得到混合熔液；

或直接将含锂化合物、含铷化合物和含锗化合物的混合物或含锂化合物、含铷化合物和含锗化合物与助熔剂的混合物，升温至熔化得到混合熔液；

b、盛有步骤a制得的混合熔液的坩埚置入晶体生长炉中，将籽晶固定于籽晶杆上，将籽晶下至接触混合熔液液面或混合熔液中进行回熔，降至饱和温度；降温或恒温生长，制备出锗酸锂铷非线性光学晶体。

4.根据权利要求3所述的锗酸锂铷非线性光学晶体的制备方法，其特征在于其中化合物锗酸锂铷单相多晶粉末与助熔剂的摩尔比为1:0‑20；或者其中含锂化合物、含铷化合物和含锗化合物与助熔剂的摩尔比为1:1:2:0‑20；助熔剂包括氢氧化锂、氢氧化铷、氢氧化锗、氧化锂、氧化铷、氧化锗、锂盐、铷盐、锗盐、氧化铅或复合助熔剂，其中复合助熔剂包括Rb2O‑GeO2、Li2O‑TeO2、RbF‑GeO2、LiF‑TeO2、GeO2‑TeO2、GeO2‑TeO2‑Rb2O。

5.根据权利要求4所述的锗酸锂铷非线性光学晶体的制备方法，其特征在于，复合助熔剂Rb2O‑GeO2体系中Rb2O与GeO2的摩尔比为1‑3:2‑5；Li2O‑TeO2体系中Li2O与TeO2摩尔比为1‑

3:3‑6；RbF‑GeO2体系中RbF与GeO2的摩尔比为1‑6:2‑5；LiF‑TeO2体系中LiF与TeO2摩尔比为

1‑6:3‑6；GeO2‑TeO2体系中GeO2与TeO2摩尔比为2‑5:1‑3；GeO2‑TeO2‑Rb2O体系中GeO2、Rb2O与TeO2摩尔比为2‑5:1‑6:3‑8。

6.根据权利要求1所述的锗酸锂铷非线性光学晶体的用途，其特征在于，该锗酸锂铷非线性光学晶体用于制备倍频发生器、上频率转换器、下频率转换器或光参量振荡器。