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专利号: 2019103119284
申请人: 桂林理工大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 基本电气元件
更新日期:2023-12-11
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.中高压阳极铝箔脉冲沉积纳米锡点的方法,其特征在于,将表面不富集电极电位比铝高的Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Cd、Ga、Ge、In、Sn、Pb元素,纯度为99.99%的高纯中高压铝箔在含氢氧化钠和微量酒石酸钾钠的溶液中进行预处理,除去表面的自然氧化膜;然后采用脉冲沉积技术,在铝箔表面沉积出纳米锡点。

2.根据权利要求1所述的中高压阳极铝箔脉冲沉积纳米锡点的方法,其特征在于,将表面不富集电极电位比铝高的Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Cd、Ga、Ge、In、Sn、Pb元素,纯度为99.99%的中高压铝箔在40~80℃浓度为0.5~4mol/L氢氧化钠+0.1~0.5mol/L酒石酸钾钠所组成的混合溶液中预处理30~200秒,除去表面的自然氧化膜。

3.根据权利要求1或2所述的中高压阳极铝箔脉冲沉积纳米锡点的方法,其特征在于,脉冲沉积纳米锡点电解液的组成为:0.01~0.1mol/L三水合锡酸钠+0.5~4mol/L氢氧化钠+0.1~0.5mol/L酒石酸钾钠;温度为30~80℃;以石墨电极为阳极,以经过表面预处理形成新鲜表面的中高压铝箔为阴极;脉冲沉积纳米锡点时铝箔带电进入电解液,其中脉冲沉积的电流密度为10~100mA/cm2,脉冲时间为1秒,每个脉冲间隔为1秒,沉积总时间为10~100秒。