1.一种无电形成过程阻变存储器实现量子电导效应的方法，其特征在于，其步骤如下：

步骤一：制备Au/NiO/FTO器件：将FTO薄膜作为衬底，在FTO薄膜上部的一侧覆盖掩膜板，在温度为380-410 ℃、氧分压1×10-3 Pa的环境下用脉冲激光沉积工艺沉积NiO薄膜，NiO薄膜上部制备Au电极，未被NiO薄膜覆盖的FTO薄膜作为FTO下电极，Au电极作为Au上电极；

步骤二：电压扫描模式准备：在FTO下电极和Au上电极之间串联连接电流表和可变的电源，在电流表和可变的电源的两端并联连接电压表；

步骤三：在295 - 373 K温度范围内，进行电压扫描模式：限制电流为1 mA，电压扫描模式为0 V→3 V→0 V→-3 V→0 V，绘制Au/NiO/FTO器件的电压-电流测试曲线，电压-电流测试曲线为8字型表明Au/NiO/FTO器件可实现双极性开关；且电压-电流测试曲线中Au/NiO/FTO器件在电压范围从-1 V到-3 V变化的RESET过程中出现多步电流跳变；

步骤四：绘制RESET过程中多步电流跳变过程中电压-电导曲线，电压-电导曲线中至少有6个量子化的阻变台阶，且阻变台阶的电导值可用nG0表示，其中n为整数或半整数，G0是量子电导的单位；

步骤五：RESET过程中，多次循环步骤三中电压扫描模式，阻变台阶的电导值集中在量子电导单位G0整数倍和半整数倍的区域。

2.根据权利要求1所述的无电形成过程阻变存储器实现量子电导效应的方法，其特征在于，所述Au/NiO/FTO器件的制备方法为：

1）选择具有200-300nm厚的FTO薄膜的透明导电玻璃作为衬底；

2）使用第一类掩膜板覆盖部分FTO薄膜，在暴露出的FTO薄膜上利用脉冲激光沉积工艺制备NiO薄膜；

3）使用具有图形的第二类掩膜板覆盖NiO薄膜，在NiO薄膜上制备Au上电极；

4） 移除第一类掩膜板和第二类掩膜板，暴露出Au上电极和FTO薄膜作为FTO下电极。

3.根据权利要求2所述的无电形成过程阻变存储器实现量子电导效应的方法，其特征在于，所述脉冲激光沉积工艺通过KrF准分子激光实现，KrF准分子激光的激光波长为 240-

300 nm、激光频率为3-4赫兹、能量密度为 2-3 J / cm2；沉积环境为：沉积温度380-410℃、氧分压1×10-3 Pa，NiO薄膜的厚度为40-60 nm。

4.根据权利要求1所述的无电形成过程阻变存储器实现量子电导效应的方法，其特征在于，所述Au/NiO/FTO器件在温度295 K时至少有6个量子化的阻变台阶，6个量子化的阻变台阶变化为9 G0→8 G0→6.5 G0→5 G0→3 G0→2 G0→1 G0。

5.根据权利要求1所述的无电形成过程阻变存储器实现量子电导效应的方法，其特征在于，所述步骤五中Au/NiO/FTO器件的相邻量子电导态之间电流差异越少，发生量子电导的频率就越高，反之亦然；说明量子电导总是集中发生，并随着电流差异的线性增大呈对数减小。

6.根据权利要求1所述的无电形成过程阻变存储器实现量子电导效应的方法，其特征在于，连续循环所述步骤三中0 V→3 V→0 V→-3 V→0 V电压扫描模式650个周期，统计分析电压-电流关系的曲线，Au/NiO/FTO器件在RESET过程中每周期都存在稳定的至少6个量子化的阻变台阶变化。

7.根据权利要求1所述的无电形成过程阻变存储器实现量子电导效应的方法，其特征在于，在电压扫描模式从0V开始的第一次扫描中，Au上电极和FTO下电极之间的正电压较低，Au/NiO/FTO器件中的氧空位从Au上电极经过NiO薄膜向FTO下电极移动，Au/NiO/FTO器件显示为SET过程；在正电压的驱动下，NiO薄膜和FTO下电极之间的空间势垒变得越来越窄，并且电压-电流的关系遵循P-F发射机制；当电压接近1.2 V时，多条准导电细丝从Au上电极到FTO下电极导通，电流突然增加，Au/NiO/FTO器件进入低阻态，Au/NiO/FTO器件的SET过程中不需要大的电形成电压就可以从高阻态跳变过渡到低阻态；继续反向增加电压，Au/NiO/FTO器件显示为RESET过程，Au/NiO/FTO器件逐渐由低阻态分步跳变成高阻态。

8.根据权利要求7所述的无电形成过程阻变存储器实现量子电导效应的方法，其特征在于，所述Au/NiO/FTO器件在SET过程中，Au上电极和FTO下电极之间的准导电细丝在电场作用下，载流子迁移形成完整的导电细丝；当RESET过程由负反馈驱动时，Au上电极和FTO下电极之间的导电细丝有逐渐减少和消失的趋势，导电细丝逐渐变细，直至细丝完全断裂；在临近导电细丝断开前，电导率在G0的整数倍和半整数倍处出现了电导率的台阶；量子电导发生在细丝最细的部分，通过Au/NiO/FTO器件的电压-电导曲线能够观察到量子电导效应。

9.根据权利要求1或8所述的无电形成过程阻变存储器实现量子电导效应的方法，其特征在于，通过探测站和半导体器件参数分析仪测量Au/NiO/FTO器件，导电细丝的导电载流子的数量随着温度的升高显著增加，使得Au/NiO/FTO器件中的导电细丝的直径增加，从而导致Au/NiO/FTO器件的高电阻的电导随温度升高而逐渐增加。