1.一种DMF插层-剥离钠基蒙脱石超薄纳米片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1，称取钙基蒙脱石分散在乙醇和水的混合溶液中，配制成钙基蒙脱石悬浮液；

S2，向所述钙基蒙脱石悬浮液中加入无水碳酸钠，球磨后老化，得到固液混合物；

S3，对所述固液混合物进行离心分离，得到固体物，洗涤、干燥，即得到钠基蒙脱石；

S4，将所述钠基蒙脱石分散在N,N-二甲基甲酰胺中，磁力搅拌的同时进行超声振荡，使钠基蒙脱石均匀分散在N,N-二甲基甲酰胺中，即得到DMF插层-剥离钠基蒙脱石超薄纳米片。

2.根据权利要求1所述的DMF插层-剥离钠基蒙脱石超薄纳米片的制备方法，其特征在于，步骤S1中，乙醇和水的混合溶液中，乙醇和水的体积比为1:9，配制的钙基蒙脱石悬浮液的固液质量比为5％：95％。

3.根据权利要求1所述的DMF插层-剥离钠基蒙脱石超薄纳米片的制备方法，其特征在于，步骤S2中，加入的无水碳酸钠的质量为钙基蒙脱石质量的5％，球磨的时间为3h，老化的时间为24h。

4.根据权利要求1所述的DMF插层-剥离钠基蒙脱石超薄纳米片的制备方法，其特征在于，步骤S3中，离心分离的转速为4000r/min，干燥的温度为105℃，干燥的时间为4h。

5.根据权利要求1所述的DMF插层-剥离钠基蒙脱石超薄纳米片的制备方法，其特征在于，步骤S4中，钠基蒙脱石与N,N-二甲基甲酰胺的固液比为1.0-2.5g/100mL。

6.根据权利要求1所述的DMF插层-剥离钠基蒙脱石超薄纳米片的制备方法，其特征在于，步骤S4中，钠基蒙脱石与N,N-二甲基甲酰胺的固液比为1.5g/100mL。

7.根据权利要求1所述的DMF插层-剥离钠基蒙脱石超薄纳米片的制备方法，其特征在于，步骤S4中，利用超声波振荡仪进行超声振荡，超声波振荡仪的温度设置为20℃。

8.一种DMF插层-剥离钠基蒙脱石超薄纳米片，其特征在于，由权利要求1-7任一项所述的制备方法制得。

9.根据权利要求8所述的DMF插层-剥离钠基蒙脱石超薄纳米片，其特征在于，所述DMF插层-剥离钠基蒙脱石超薄纳米片的平均厚度为1-2nm。