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专利号: 2023101063810
申请人: 赵秀风
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
更新日期:2026-01-27
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种离子插层剥离MoS

2.根据权利要求1所述的一种离子插层剥离MoS

3.根据权利要求1或2所述的一种离子插层剥离MoS

4.根据权利要求3所述的一种离子插层剥离MoS

5.根据权利要求1所述的一种离子插层剥离MoS

6.根据权利要求5所述的一种离子插层剥离MoS

7.根据权利要求1所述的一种离子插层剥离MoS

8.根据权利要求1所述的一种离子插层剥离MoS

9.根据权利要求1所述的一种离子插层剥离MoS