1.一种应用于全光开关和光存储器的光学双稳态器件，其特征在于，本光学双稳态器件为八个电介质层一(A)、八个电介质层二(B)和十五个石墨烯层(G)组成的多层结构，且本光学双稳态器件由上表面至下表面依次为电介质层一(A)、石墨烯层(G)、电介质层二(B)、石墨烯层(G)、电介质层一(A)、石墨烯层(G)、电介质层二(B)、电介质层一(A)、石墨烯层(G)、电介质层二(B)、电介质层一(A)、石墨烯层(G)、电介质层二(B)、石墨烯层(G)、电介质层二(B)、石墨烯层(G)、电介质层一(A)、石墨烯层(G)、电介质层二(B)、石墨烯层(G)、电介质层一(A)、石墨烯层(G)、电介质层二(B)、石墨烯层(G)、电介质层一(A)、石墨烯层(G)、电介质层二(B)、石墨烯层(G)、电介质层一(A)；所述电介质层一(A)的材料为MgF2晶体，所述电介质层二(B)的材料为ZnS晶体。2.根据权利要求1所述一种应用于全光开关和光存储器的光学双稳态器件，其特征在于，所述电介质层一(A)的厚度为da＝0.281μm，折射率为na＝1.38。3.根据权利要求1所述一种应用于全光开关和光存储器的光学双稳态器件，其特征在于，所述电介质层二(B)的厚度为db＝0.165μm，折射率为na＝2.35。4.根据权利要求1或2或3所述一种应用于全光开关和光存储器的光学双稳态器件，其特征在于，在石墨烯层(G)上加电极，通过控制石墨烯的化学势来调控光学双稳态的上、下阈值和阈值间隔，即控制全光开关的开、关阈值和阈值间隔。