1.一种开关性能稳定的功率器件，其特征在于，包括：

第一导电型的衬底，其底端配置有MOS功率器件的器件漏极，所述衬底上端配置有第一导电型的外延层；

第二导电型的沟道，其间隔配置在所述外延层中；

第二导电型的体区，其配置在所述沟道和外延层上部，其中，所述体区至少覆盖在两个相邻所述沟道的上端形成相邻体区，所述体区内配置有第一导电型的器件源极，所述相邻体区之间的上端配置有器件栅极；

其中，所述沟道中至少存在三个未被所述体区覆盖的第一独立沟道、第二独立沟道以及第三独立沟道，所述第一独立沟道上部配置有第一金属-氧化物半导体场效应管，所述第二独立沟道上部配置有第二金属-氧化物半导体场效应管，所述外延层上端绝缘配置有第一电阻和第二电阻，所述器件栅极端连接栅极金属垫，所述第二电阻连接在所述栅极金属垫和所述器件栅极之间，所述第一金属-氧化物半导体场效应管的第一漏极与所述器件栅极连接，所述第一金属-氧化物半导体场效应管的第一源极通过所述第一电阻与所述器件源极共接，所述第一金属-氧化物半导体场效应管的第一栅极、第二金属-氧化物半导体场效应管的第二栅极和第二漏极同时共接在栅极金属垫上，所述第二金属-氧化物半导体场效应管的第二源极与所述器件源极共接；

所述第三独立沟道的上部配置有第一导电型的基区，其上部配置有第二导电型的第一区，所述基区上端配置有第一导电型的第二区；

所述第一金属-氧化物半导体场效应管至少为2个，每一个第一金属-氧化物半导体场效应管独立配置在一个所述第一独立沟道中，每一个第一金属-氧化物半导体场效应管的各个第一栅极并联、各个第一漏极并联、各个第一源极并联。

2.如权利要求1所述的开关性能稳定的功率器件，其特征在于，所述外延层上端还绝缘配置有第三电阻，其连接在所述栅极金属垫与所述第一栅极之间。

3.如权利要求2所述的开关性能稳定的功率器件，其特征在于，所述第三独立沟道上部配置有PN结，所述PN结的阴极与所述栅极金属垫连接，所述PN结的阳极与所述器件栅极的控制端连接。

4.如权利要求3所述的开关性能稳定的功率器件，其特征在于，所述第一独立沟道的上部间隔配置有第一导电型的第一源区和第一漏区，所述第一源区上端设置有所述第一源极，所述第一漏区上端设置有所述第一漏极，所述第一源区和第一漏区上端配置有所述第一栅极。

5.如权利要求4所述的开关性能稳定的功率器件，其特征在于，所述第二独立沟道的上部间隔配置有第一导电型的第二源区和第二漏区，所述第二源区上端设置有所述第二源极，所述第二漏区上端设置有所述第二漏极，所述第二源区和第二漏区上端配置有所述第二栅极。

6.如权利要求3所述的开关性能稳定的功率器件，其特征在于，所述第一导电型为N型，所述第二导电型为P型，所述第一区为所述PN结的阳极，所述第二区为所述PN结的阴极。

7.如权利要求3所述的开关性能稳定的功率器件，其特征在于，所述第一导电型为P型，所述第二导电型为N型，所述第二区为所述PN结的阳极，所述第一区为所述PN结的阴极。