1.一种基于氧化铒薄膜的忆阻器，其特征在于：所述忆阻器包括顶电极、氧化铒薄膜以及底电极，所述氧化铒薄膜位于顶电极和底电极之间，其中，顶电极和底电极的材料分别为氧化铟锡或银，构成氧化铟锡或银/氧化铒/氧化铟锡或银三明治结构。

2.根据权利要求1所述的基于氧化铒薄膜的忆阻器，其特征在于：所述氧化铒薄膜的厚度为300～500nm。

3.根据权利要求1所述的基于氧化铒薄膜的忆阻器，其特征在于：所述顶电极氧化铟锡或银的厚度为400～600nm，所述底电极氧化铟锡或银的厚度为400～600nm。

4.一种如权利要求1-3所述的基于氧化铒薄膜的忆阻器的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：S1、清洗衬底：洗净基片并吹干，备用；

S2、制备底电极：采用磁控溅射法，以氧化铟锡或银靶材为溅射源，在基片上溅射沉积底电极；

S3、制备功能层：采用射频溅射法，以氧化铒靶材为溅射源，在底电极上沉积功能层Er2O3薄膜；

S4、沉积顶电极：采用直流溅射法，以氧化铟锡或银靶材为溅射源，在氧化铒薄膜表面沉积上电极，制得氧化铟锡或银/氧化铒/氧化铟锡或银三明治结构的忆阻器。

5.根据权利要求1所述的基于氧化铒薄膜的忆阻器的制备方法，其特征在于：所述步骤S1中，清洗的具体步骤是：将基片依次放入去离子水、酒精、丙酮、酒精、去离子水中，分别超声清洗10～20min，吹干后备用。

6.根据权利要求1所述的基于氧化铒薄膜的忆阻器的制备方法，其特征在于：所述步骤S2中，具体步骤是：在磁控溅射腔体中安装氧化铟锡或银靶材，设置靶材到衬底的距离为8～12厘米，将溅射室本底真空度抽至小于5×10-4Pa，通入纯度为99.999％的氩气作为工作气体，溅射气压为1.0～2.0Pa，直流溅射电流为0.2～0.3A，溅射时间为10～20min。

7.根据权利要求1所述的基于氧化铒薄膜的忆阻器的制备方法，其特征在于：所述步骤S3中，设置靶基距为8～10厘米，将溅射室本底真空度抽至小于5×10-4Pa，通入纯度为

99.999％的氩气作为工作气体，溅射气压为1.0～2.0Pa，溅射功率为80～100W，溅射时间为

20～30min。

8.根据权利要求1所述的基于氧化铒薄膜的忆阻器的制备方法，其特征在于：所述步骤S4中，设置靶基距为8～12厘米，将溅射室本底真空度抽至小于5×10-4Pa，通入纯度为

99.999％的氩气作为工作气体，溅射气压为1.0～2.0Pa，直流溅射电流为0.2～0.3A，溅射时间为10～20min。

9.根据权利要求1所述的基于氧化铒薄膜的忆阻器的制备方法，其特征在于：所述忆阻器件为银/氧化铒/氧化铟锡结构或氧化铟锡/氧化铒/银结构。