1.基于黑磷-氧化石墨烯量子点的薄膜，其特征在于，包括依次连接在一起的上层结构、中层结构和下层结构，上层结构和下层结构的材料均为氧化石墨烯纳米片，中层结构的材料为黑磷-氧化石墨烯量子点复合物。

2.根据权利要求1所述的基于黑磷-氧化石墨烯量子点的薄膜，其特征在于，上层结构、中层结构和下层结构的厚度均为100～250纳米。

3.根据权利要求1所述的基于黑磷-氧化石墨烯量子点的薄膜，其特征在于，黑磷-氧化石墨烯量子点复合物中，黑磷和氧化石墨烯量子点的质量比为1:1。

4.权利要求1-3任一项所述的基于黑磷-氧化石墨烯量子点的薄膜的制备方法，其特征在于，包括：(1)将黑磷纳米片溶液和氧化石墨烯量子点溶液混合均匀，得到黑磷-氧化石墨烯量子点混合溶液；

(2)使用真空抽滤装置和滤膜，依次抽滤氧化石墨烯纳米片溶液、黑磷-氧化石墨烯量子点混合溶液和氧化石墨烯纳米片溶液，抽滤完成后，将滤膜真空干燥，获得负载在滤膜上的基于黑磷-氧化石墨烯量子点的薄膜。

5.根据权利要求4所述的基于黑磷-氧化石墨烯量子点的薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，黑磷纳米片溶液中黑磷纳米片的尺寸在200纳米到2微米，氧化石墨烯量子点溶液中氧化石墨烯量子点的直径尺寸为5～10nm；步骤(2)中，氧化石墨烯纳米片溶液中氧化石墨烯纳米片的尺寸在200纳米到2微米。

6.根据权利要求4所述的基于黑磷-氧化石墨烯量子点的薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，氧化石墨烯量子点溶液制备：将过氧化氢溶液加入氧化石墨烯纳米片溶液中制成混合溶液，然后在波长为365纳米紫外灯照射下进行光-芬顿反应，反应完成后透析，获得氧化石墨烯量子点溶液。

7.基于黑磷-氧化石墨烯量子点的忆阻器，其特征在于，包括权利要求1-3任一项所述的基于黑磷-氧化石墨烯量子点的薄膜。

8.权利要求7所述的基于黑磷-氧化石墨烯量子点的忆阻器的制备方法，其特征在于，包括：(1)将黑磷纳米片溶液和氧化石墨烯量子点溶液混合均匀，得到黑磷-氧化石墨烯量子点混合溶液；

(2)使用真空抽滤装置和滤膜，依次抽滤氧化石墨烯纳米片溶液、黑磷-氧化石墨烯量子点混合溶液和氧化石墨烯纳米片溶液，抽滤完成后，将滤膜真空干燥，获得带有滤膜的基于黑磷-氧化石墨烯量子点的薄膜；

(3)将带有滤膜的基于黑磷-氧化石墨烯量子点的薄膜采用异丙醇润湿，然后转移至导电衬底上，施加压力将基于黑磷-氧化石墨烯量子点的薄膜面紧密接触导电衬底表面，转移完成后用丙酮滴到滤膜上，将滤膜溶解掉，待滤膜全部溶解后真空干燥，得到转移到导电衬底上的基于黑磷-氧化石墨烯量子点的薄膜；

(4)将转移到导电衬底上的基于黑磷-氧化石墨烯量子点的薄膜与第二电极组装，制备得到忆阻器。

9.根据权利要求8所述的基于黑磷-氧化石墨烯量子点的忆阻器的制备方法，其特征在于，步骤(3)中，导电衬底为ITO导电玻璃或柔性PETITO。

10.根据权利要求8所述的基于黑磷-氧化石墨烯量子点的忆阻器的制备方法，其特征在于，步骤(4)中，第二电极为银电极或ITO导电玻璃。