欢迎来到知嘟嘟! 联系电话:13336804447 卖家免费入驻,海量在线求购! 卖家免费入驻,海量在线求购!
知嘟嘟
我要发布
联系电话:13336804447
知嘟嘟经纪人
收藏
专利号: 2019100123911
申请人: 合肥学院
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 测量;测试
更新日期:2026-03-04
缴费截止日期: 暂无
价格&联系人
年费信息
委托购买

摘要:

权利要求书:

1.一种评估微囊藻毒素在真实水环境下毒性的方法,其特征在于,包括以下步骤:9

(1)将降解菌株制备成菌体细胞悬液,并稀释为10个/mL;再制备降解菌株和MC‑LR共存的储备液;

+

通过N离子束注入技术对降解菌株进行辐照,得到辐照后降解菌株A1、A2、A3,

13 + 2

A1:辐照剂量为40个单位,每个单位为2.6×10 N/cm,

13 + 2

A2:辐照剂量为60个单位,每个单位为2.6×10 N/cm,

13 + 2

A3:辐照剂量为80个单位,每个单位为2.6×10 N/cm;

降解菌株和MC‑LR共存的储备液的制备方法为:9

取50μM的纯MC‑LR储备液200μL加入菌体细胞浓度为10个/mL的800μL细胞悬液中,配制的溶液中细胞悬液与MC‑LR溶液的体积比为4:1;

振荡均匀,在室温下避光培养三天;然后用0.22μm孔径的滤膜过滤,放入‑20℃冰箱保存,制得降解菌株和MC‑LR共存的储备液;

(2)分别配置浓度为1μM和0.1μM的MC‑LR和菌株共存工作液、1μM和0.1μM的纯MC‑LR工作液、降解菌株过滤后工作液;

MC‑LR和菌株共存工作液的配置方法如下:取100μL步骤(1)制得的降解菌株和MC‑LR共存的储备液加入到900μL DMEM完全培养基中,制得浓度为1μM的MC‑LR和菌株共存工作液;

再取100μL制得的1μM的MC‑LR和菌株共存工作液加入到900μL DMEM完全培养基中,制得浓度为0.1μM的MC‑LR和菌株共存工作液;

(3)取处于对数生长期的Hep G2细胞接种在经过宽离子束辐照改性后的96孔板中,每板接种18个孔,一组实验用一个板,总共接种2个板;在染毒一天的实验中,每孔接种8万细胞;在染毒三天的实验中,每孔接种4万细胞;分别培养24h;

宽离子束辐照的能量为10~20keV,剂量为10~20kGy,辐照时间为5~20min;

(4)细胞染毒:24h后,用步骤(2)配制的各浓度的MC‑LR和菌株共存工作液,以及步骤(2)配置的各浓度的纯MC‑LR工作液对Hep G2细胞进行染毒,并设置降解菌株过滤后工作液处理组和对照组;

(5)进行MTT实验:

4 4

将每孔接种8×10 个细胞的96孔板染毒一天后进行MTT实验,将每孔接种4×10个细胞的96孔板染毒三天后进行MTT实验,然后检测其吸光值。

2.根据权利要求1所述的一种评估微囊藻毒素在真实水环境下毒性的方法,其特征在于,所述降解菌株为蜡状芽孢杆菌M9。

3.根据权利要求1所述的一种评估微囊藻毒素在真实水环境下毒性的方法,其特征在于,所述步骤(2)中,纯MC‑LR工作液配置方法如下:取20μL浓度为50μM的纯MC‑LR储备液加入到980μL DMEM完全培养基中,制得浓度为1μM的纯MC‑LR工作液;

再取100μL制得的1μM的纯MC‑LR工作液加入到900μL DMEM完全培养基中,制得浓度为

0.1μM的纯MC‑LR工作液。

4.根据权利要求1所述的一种评估微囊藻毒素在真实水环境下毒性的方法,其特征在9

于,所述步骤(2)中,降解菌株过滤后工作液配置方法如下:取浓度为10 个/mL的降解菌株细胞悬液80μL,加入到920μL DMEM完全培养基中制备并用0.22μm孔径的滤膜过滤而成。

5.根据权利要求1所述的一种评估微囊藻毒素在真实水环境下毒性的方法,其特征在于,所述步骤(4)中,细胞染毒的处理方法为:每块96孔板中,三个孔加DMEM完全培养基作为对照,三个孔加1μM的MC‑LR和菌株共存工作液,三个孔加0.1μM的MC‑LR和菌株共存工作液,三个孔加1μM的纯MC‑LR工作液,三个孔加0.1μM的纯MC‑LR工作液,三个孔加降解菌株过滤后工作液;进行细胞染毒实验。

6.根据权利要求1所述的一种评估微囊藻毒素在真实水环境下毒性的方法,其特征在于,所述步骤(5)中,MTT实验步骤如下:取出染毒后的细胞,吸去孔里的液体,每孔加入200μL的PBS溶液清洗两遍;清洗完,每孔加入200μL浓度为1mg/mL的MTT工作液,放入培养箱孵育4h;每次MTT实验前对MTT工作液超声处理30分钟;

终止孵育,吸弃MTT工作液,每孔加入200μL的盐酸异丙醇溶液,放入二氧化碳培养箱振荡且孵育20分钟,使结晶物充分溶解;然后取出96孔板,用酶标仪在570nm处测定OD值。