1.一种异性堆叠石墨烯的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：步骤①：准备绝缘或半导体的衬底；

步骤②：在衬底的表面制备层状分布的镍层和掺杂碳源层，并且使得镍层和掺杂碳源层直接接触；

步骤③：对掺杂碳源层进行加热退火，使得碳融入到镍层中，然后进行降温，使得镍层的一侧生长掺杂石墨烯，另一侧生长纯石墨烯；

步骤④：退火蒸发镍层，使得掺杂石墨烯和纯石墨烯呈层状分布且相互接触。

2.根据权利要求1所述的异性堆叠石墨烯的制备方法，其特征在于：步骤④完成后重复步骤②、步骤③和步骤④。

3.根据权利要求1所述的异性堆叠石墨烯的制备方法，其特征在于：步骤②中，掺杂碳源层包括碳源层和掺杂层，碳源层位于掺杂层和镍层之间。

4.根据权利要求3所述的异性堆叠石墨烯的制备方法，其特征在于：步骤②中，衬底的表面先旋涂掺杂液体形成掺杂层，再旋涂碳源液体形成碳源层，最后在碳源层表面电子束蒸发Ni形成镍层，形成衬底、掺杂层、碳源层和镍层的层状分布结构。

5.根据权利要求1所述的异性堆叠石墨烯的制备方法，其特征在于：步骤②中，在衬底的表面进行电子束蒸发形成镍层，然后对气态碳源和气态掺杂源进行气相沉积，使得掺杂碳源层形成在镍层表面。

6.根据权利要求1所述的异性堆叠石墨烯的制备方法，其特征在于：步骤②中，掺杂液体和碳源液体混合旋涂至镍层的表面形成掺杂碳源层。

7.根据权利要求1所述的异性堆叠石墨烯的制备方法，其特征在于：所述掺杂碳源层中的掺杂元素为N、S、P和B中的一种或多种。

8.根据权利要求1所述的异性堆叠石墨烯的制备方法，其特征在于：所述步骤③中，掺杂碳源层的加热温度为800-900℃，并在800-900℃下保温2-15min，降温速率为25-30℃/min。

9.根据权利要求4或6所述的异性堆叠石墨烯的制备方法，其特征在于：所述碳源液体为PMMA。