1.一种改性二氧化硅纳米孔道膜修饰电极，其特征在于，所述改性二氧化硅纳米孔道膜修饰电极的制备方法包括以下步骤：(1)在电极基底上制备具有开放孔结构的二氧化硅纳米孔道薄膜；

(2)利用电泳法、静电吸附法或共价固定法将石墨烯量子点入孔修饰二氧化硅纳米孔道，制得所述的改性二氧化硅纳米孔道膜修饰电极；

所述的电极基底为氧化铟锡电极或金电极；

所述石墨烯量子点是以三硝基芘为碳源，在碱性条件下经水热合成制得，其尺寸小于二氧化硅纳米孔道孔径。

2.如权利要求1所述的改性二氧化硅纳米孔道膜修饰电极，其特征在于，步骤(1)中，采用 溶液生长法或电化学辅助自组装法制备二氧化硅纳米孔道薄膜。

3.如权利要求1所述的改性二氧化硅纳米孔道膜修饰电极，其特征在于，步骤(2)中，所述电泳法包括：采用三电极体系，以步骤(1)制得的二氧化硅纳米孔道薄膜修饰电极为工作电极，置于浓度为0.01～10.0mg/mL、pH值4.0～8.0的石墨烯量子点溶液中，对工作电极施加0.4～1.0V的恒定电压并持续10min～2h，制得所述的改性二氧化硅纳米孔道膜修饰电极。

4.如权利要求1-3任一项所述的改性二氧化硅纳米孔道膜修饰电极在电化学检测铜离子或多巴胺中的应用。

5.如权利要求4所述的应用，其特征在于，检测铜离子时，包括：

(1)将待测样品用pH 2.0～6.0的缓冲溶液稀释后得到待测液；

(2)采用三电极体系，以改性二氧化硅纳米孔道膜修饰的氧化铟锡电极或金电极为工作电极，铂片电极为对电极，饱和银/氯化银电极为参比电极，将电极体系置于待测液中，恒电压富集，富集电压为-0.40V～-0.8V；

(3)富集结束后，将电极体系置于pH值为2.0～6.0的空白缓冲溶液中，采用差分脉冲伏安法测得铜离子的溶出信号，所述的差分脉冲伏安法的起始电位为-0.40V，终止电位为

0.15V，根据标准曲线计算待测样品中的铜离子含量；

检测多巴胺时，包括：

a、将待测样品用pH值为3.0～8.0的缓冲溶液稀释后得到待测液；

b、采用三电极体系，以改性二氧化硅纳米孔道膜修饰的金电极为工作电极，铂片电极为对电极，饱和银/氯化银电极为参比电极，将电极体系置于待测液中，采用差分脉冲伏安法测得多巴胺的氧化信号，所述的差分脉冲伏安法的起始电位为0V，终止电位为0.40V；根据标准曲线计算待测样品中的多巴胺含量。