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专利号: 2018113212815
申请人: 三峡大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 基本电气元件
更新日期:2025-05-15
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种双功能的硫化钴与硫、氮掺杂碳原位复合电极的制备方法,其特征在于,具体制备方法为:

(1)将硝酸钴溶于去离子水中,利用电沉积在导电基底上生长片状氢氧化钴阵列,再将氢氧化钴阵列于空气中退火形成多孔、片状氧化钴阵列,电沉积时间为90 360 s,工作电极~

相对于饱和甘汞电极的电位为 ‑0.9 ‑1.2 V,所述的空气中退火的温度为300 500℃,反~ ~

应时间为0.5 2 h;

~

(2)将聚苯胺沉积到上述生长有氧化钴阵列的基底上后于硫气氛中,在惰性气体下退火反应即可得到双功能的硫化钴与硫、氮掺杂碳原位复合电极,所述的聚苯胺沉积方法包括电沉积和化学浴两种;所述的聚苯胺电沉积是在苯胺与硫酸钠的混合溶液中进行电沉积,所述的苯胺浓度为0.02‑0.08 M,硫酸钠浓度为0.1‑0.4 M。

2.根据权利要求1所述的双功能的硫化钴与硫、氮掺杂碳原位复合电极的制备方法,其特征在于,所述的硝酸钴水溶液浓度为50 200 mM。

~

3.根据权利要求1所述的双功能的硫化钴与硫、氮掺杂碳原位复合电极的制备方法,其特征在于,所述的导电基底包括碳布、石墨纸、泡沫铜或镍中的任意一种。

4.根据权利要求1所述的双功能的硫化钴与硫、氮掺杂碳原位复合电极的制备方法,其特征在于,化学浴沉积是在苯胺单体水溶液和过硫酸铵水溶液中交替浸泡,交替次数为10~

30。

5.根据权利要求1所述的双功能的硫化钴与硫、氮掺杂碳原位复合电极的制备方法,其特征在于,聚苯胺电沉积过程中,阳极电流大小为3 6 mA,沉积时间600 1200 s。

~ ~

6.根据权利要求1所述的双功能的硫化钴与硫、氮掺杂碳原位复合电极的制备方法,其特征在于,化学浴中苯胺单体水溶液的物质的量为30‑70mmol,过硫酸铵水溶液物质的量为

10‑20 mmol。

7.根据权利要求1所述的双功能的硫化钴与硫、氮掺杂碳原位复合电极的制备方法,其特征在于,所述的惰性气体为Ar气或N2气,其中退火反应温度600~900℃,退火反应时间为

0.5 4 h。

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