1.一种硫化钴与氮掺杂碳复合阵列电极的制备方法，其特征在于，具体制备方法为：（1）将氯化钴与尿素溶于去离子水中，利用化学浴沉积方法在导电基底上生长碱式钴盐阵列，再将碱式钴盐阵列于空气中退火形成针状氧化钴阵列，再于硫气氛中退火形成二硫化钴阵列，所述的溶液中氯化钴浓度为50 200 mM，尿素质量分数为3 10 %，所述的空气~ ~中和硫气氛中退火的温度为300 500℃，反应时间为0.5 2 h；

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（2）将多巴胺在弱碱性缓冲液中聚合到上述生长有氧化钴的阵列或二硫化钴的阵列的基底上后于硫气氛或惰性气氛下退火，自然冷却至室温后取出得到CFP/Co9S8-Co4S3@C原位电极，所述的弱碱性缓冲液为Tris缓冲液，浓度为0.005-0.02 M，多巴胺浓度为0.1 10 mg/~mL，所述的惰性气体为Ar气或N2气，硫气氛为硫脲或升华硫，其中退火反应温度500~900℃，退火反应时间为0.5 4 h。

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2.根据权利要求1所述的硫化钴与氮掺杂碳复合阵列电极的制备方法，其特征在于，化学浴沉积时间为1   6 h，水浴温度为70  100℃。

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3.根据权利要求1所述的硫化钴与氮掺杂碳复合阵列电极的制备方法，其特征在于，所述的导电基底包括碳纸、碳布、石墨纸、泡沫铜或镍中的任意一种。

4.根据权利要求1所述的硫化钴与氮掺杂碳复合阵列电极的制备方法，其特征在于，所述的多巴胺聚合时间为10 30 h，聚合条件为室温下搅拌进行。

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