1.一种含NiO/SiC异质发射结的SiC光触发晶闸管，其特征在于：包括衬底(1)，该衬底(1)的材料为n型SiC；

在衬底(1)上表面制作有n‑SiC缓冲层(2)，该n‑SiC缓冲层(2)的材料为n型SiC；

在n‑SiC缓冲层(2)上表面制作有p‑SiC缓冲层(3)，该p‑SiC缓冲层(3)的材料为p型SiC；

在p‑SiC缓冲层(3)上表面制作有p‑SiC长基区(4)，该p‑SiC长基区(4)的材料为p型SiC；

在p‑SiC长基区(4)上表面制作有n‑SiC短基区(5)，该n‑SiC短基区(5)的材料为n型SiC；

在n‑SiC短基区(5)上表面制作有p‑NiO发射区(6)，p‑NiO发射区(6)分为多个凸台，每个凸台的侧壁为平面，该p‑NiO发射区(6)的材料为p型NiO；

p‑NiO发射区(6)的侧壁覆盖有绝缘介质薄膜(7)；p‑NiO发射区(6)之间裸露的n‑SiC短基区(5)上表面与p‑NiO发射区(6)的下表面平齐，位于p‑NiO发射区(6)下方的n‑SiC短基区(5)呈与p‑NiO发射区(6)相同形状的凸台结构；p‑NiO发射区(6)之间裸露的n‑SiC短基区(5)上表面覆盖有绝缘介质薄膜(7)；

在p‑NiO发射区(6)的各个凸台上端面覆盖有阳极(8)；

在衬底(1)下端面覆盖有阴极(9)，

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所述的衬底(1)的厚度为100μm‑1mm，该衬底(1)的上下端表面积为1μm ‑2000cm ；n‑SiC

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缓冲层(2)的厚度为0.1μm‑3.0μm，该n‑SiC缓冲层(2)的上下端表面积为1μm‑2000cm ；p‑

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SiC缓冲层(3)的厚度为0.1μm‑3.0μm，该p‑SiC缓冲层(3)的上下端表面积为1μm ‑2000cm ；

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p‑SiC长基区(4)的厚度为0.1μm‑300μm，该p‑SiC长基区(4)的上下端表面积为1μm ‑

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2000cm ；n‑SiC短基区(5)的厚度为0.1μm‑3.0μm，上下端表面积为1μm‑2000cm ；p‑NiO发射

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区(6)的厚度为0.1μm‑3.0μm，上下端表面积为1μm‑2000cm，所述的绝缘介质薄膜(7)厚度为0.1μm‑2μm，所述的阳极(8)由阳极金属与阳极压焊块组成，阳极压焊块覆盖在阳极金属的上表面，厚度为0.1μm‑100μm，

所述的阴极(9)由阴极金属与阴极压焊块组成，阴极压焊块覆盖在阴极金属的下端面，厚度为0.1μm‑100μm，

所述的p‑NiO发射区(6)的各个凸台为叉指结构、平行长条状、圆环形、正方形或渐开线形台面之一，或其组合形状，各凸台的间距为0.1μm‑1cm，各凸台的高度为0.1μm‑5.9μm，各凸台的高度不小于p‑NiO发射区(6)的厚度。