1.一种具有变掺杂短基区的碳化硅光触发晶闸管，其特征在于：包括SiC衬底(1)，在SiC衬底(1)之上制作有第一外延层(2)，即n+缓冲层；

在第一外延层(2)之上制作有第二外延层(3)，即p+缓冲层；

在第二外延层(3)之上制作有第三外延层(4)，即p-长基区；

在第三外延层(4)之上制作有第四外延层(5)，即变掺杂n短基区；

在第四外延层(5)之上制作有第五外延层(6)，即p+发射区，分为尺寸相同的多个凸台，每个凸台的侧壁为平面；

还包括绝缘介质薄膜(7)，绝缘介质薄膜(7)覆盖在第五外延层(6)的各个凸台侧壁、各个凸台之间的第四外延层(5)的上表面，位于各个凸台之间的绝缘介质薄膜(7)的高度低于凸台的上端面；

所述的第四外延层(5)的材料为n型4H-SiC，该第四外延层(5)的厚度为0.2μm-4μm，该

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第四外延层(5)的上端表面积为1μm-2000cm；

第四外延层(5)分为两个区域，其中在第四外延层(5)下部分区域中，即与第三外延层(4)相接的部分，杂质浓度自第三外延层(4)与第四外延层(5)相接的位置在竖直方向向上呈连续增长趋势分布，掺杂浓度范围为1×1014-1×1018cm-3，厚度范围为0.1μm-3.9μm；在第四外延层(5)上部分区域中，即与上方的第五外延层(6)相接的部分，杂质浓度在此区域中呈均匀趋势分布，掺杂浓度为1×1015-1×1018cm-3且掺杂浓度不低于第四外延层(5)下部分区域的最高浓度，厚度范围为0.1μm-3.9μm；

在第五外延层(6)的各个凸台上端面覆盖有阳极(8)；

在SiC衬底(1)下端面覆盖有阴极(9)。

2.根据权利要求1所述的具有变掺杂短基区的碳化硅光触发晶闸管，其特征在于：所述的SiC衬底(1)的材料为n型4H-SiC，该SiC衬底(1)的厚度为1μm-500μm，该SiC衬底(1)的上端表面积为1μm2-2000cm2，掺杂浓度为1×1014-2×1022cm-3。

3.根据权利要求1所述的具有变掺杂短基区的碳化硅光触发晶闸管，其特征在于：所述的第一外延层(2)的材料为n型4H-SiC，该第一外延层(2)的厚度为0.1μm-3μm，该第一外延层(2)的上端表面积为1μm2-2000cm2，掺杂浓度为5×1017-1×1022cm-3。

4.根据权利要求1所述的具有变掺杂短基区的碳化硅光触发晶闸管，其特征在于：所述的第二外延层(3)的材料为p型4H-SiC，该第二外延层(3)的厚度为0.1μm-3μm，该第二外延层(3)的上端表面积为1μm2-2000cm2，掺杂浓度为5×1016-1×1022cm-3。

5.根据权利要求1所述的具有变掺杂短基区的碳化硅光触发晶闸管，其特征在于：所述的第三外延层(4)的材料为p型4H-SiC，该第三外延层(4)的厚度为1μm-500μm，该第三外延层(4)的上端表面积为1μm2-2000cm2，掺杂浓度为1×1014-5×1016cm-3。

6.根据权利要求1所述的具有变掺杂短基区的碳化硅光触发晶闸管，其特征在于：所述的第五外延层(6)的材料为p型4H-SiC，该第五外延层(6)的厚度为0.1μm-6μm，单个凸台的上端表面积为1μm2-2000cm2，掺杂浓度为1×1018-1×1022cm-3。

7.根据权利要求1所述的具有变掺杂短基区的碳化硅光触发晶闸管，其特征在于：绝缘介质薄膜(7)的厚度为0.1μm-2μm。

8.根据权利要求1所述的具有变掺杂短基区的碳化硅光触发晶闸管，其特征在于：所述的阳极(8)由阳极金属与阳极压焊块组成，阳极压焊块覆盖在阳极金属的上表面，厚度为

0.1μm-100μm；

所述的阴极(9)由阴极金属与阴极压焊块组成，阴极压焊块覆盖在阴极金属的背面，厚度为0.1μm-100μm。

9.根据权利要求1所述的具有变掺杂短基区的碳化硅光触发晶闸管，其特征在于：所述的第五外延层(6)的各个凸台为平行长条状，叉指结构、圆环形、正方形及渐开线形台面之一，或其组合形状；各凸台的间距为0.1μm-1cm，各凸台的高度为0.1μm-6.1μm，各凸台的高度不小于p+发射区的厚度。