欢迎来到知嘟嘟! 联系电话:13095918853 卖家免费入驻,海量在线求购! 卖家免费入驻,海量在线求购!
知嘟嘟
我要发布
联系电话:13095918853
知嘟嘟经纪人
收藏
专利号: 2018104861830
申请人: 浙江理工大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 测量;测试
更新日期:2024-01-05
缴费截止日期: 暂无
价格&联系人
年费信息
委托购买

摘要:

权利要求书:

1.一种Au@mSiO2纳米花SERS基底的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤一,将左旋多巴溶液与HAuCl4溶液混合,于恒温冰水浴中磁搅拌反应,得Au纳米花;

步骤二,将步骤一的Au纳米花加入到CTAB溶液中超声分散均匀,随后加入乙二醇胺,并于恒温油浴中磁搅拌反应,形成混合溶液;所述步骤二中反应温度为50-100℃,反应时间为

20-60min;

步骤三,TEOS与正己烷混合均匀后滴加到步骤二的混合溶液中,磁搅拌反应,离心洗涤,即得Au@mSiO2纳米花;

所述步骤一中HAuCl4和左旋多巴的浓度比为1:1-1:6;

所述步骤一中冰水浴的温度为2-12℃;所述步骤一中磁搅拌反应2-6h;

所述步骤二中Au纳米花与乙二醇胺的质量体积比为0.1g/mL-5g/mL,CTAB溶液的浓度为0.2-1M;

其中Au纳米花为表面包括交织纳米片和多孔。

2.如权利要求1所述的一种Au@mSiO2纳米花SERS基底的制备方法,其特征在于,所述步骤三中TEOS和环己烷的体积比为1:10-1:40,步骤三中磁搅拌反应时间为12-30h。

3.一种Au@mSiO2纳米花SERS基底,其特征在于,由权利要求1-2任意一项制备方法制备而得,所述Au@mSiO2纳米花SERS基底的粒径为140nm-437nm,介孔SiO2均匀的包覆于Au纳米花外围,介孔SiO2的厚度在7-25nm。

4.如权利要求3所述的一种Au@mSiO2纳米花SERS基底,其特征在于,所述Au@mSiO2纳米花的尺寸为150-300nm,所述介孔SiO2的厚度在13-20nm。