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专利号: 2018104602696
申请人: 黄山学院
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
更新日期:2025-01-08
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种晶相转变制备菱沸石膜的方法,其特征在于,包括以下步骤:

(1)载体管处理,将沸石载体管放入抛光机中抛光,然后经过超声清洗后干燥;

(2)晶体层制备,在载体管的表面均匀涂覆T型晶种层;

(3)合成液配置,称取NaOH和KOH,加入足量水,搅拌均匀,向混合液中依次加入NaAlO2和SiO2的水溶液,充分搅拌均匀;

(4)晶相转变法制备菱沸石膜,将步骤(2)的载体管置于不锈钢反应釜内,并将步骤(3)的合成液倒入不锈钢反应釜中,加热到80~170℃,持续加热12~240h。

2.根据权利要求1所述的一种晶相转变制备菱沸石膜的方法,其特征在于,所述载体管的材质为氧化钛、氧化铝、氧化锆、莫来石或不锈钢。

3.根据权利要求1所述的一种晶相转变制备菱沸石膜的方法,其特征在于,所述载体管为多孔载体管,其孔径为0.05~2μm。

4.根据权利要求1所述的一种晶相转变制备菱沸石膜的方法,其特征在于,所述载体管经超声清洗后使用高温气体干燥,干燥后的载体管温度应为30~40℃。

5.根据权利要求1所述的一种晶相转变制备菱沸石膜的方法,其特征在于,所述载体管表面的T型晶种层的厚度为0.5~2μm。

6.根据权利要求1所述的一种晶相转变制备菱沸石膜的方法,其特征在于,所述T型晶种的尺寸为0.05~2μm。

7.根据权利要求1所述的一种晶相转变制备菱沸石膜的方法,其特征在于,所述T型晶种层所用T型晶种参照文献AICHE Journal,2013,59,936-947制得。

8.根据权利要求1所述的一种晶相转变制备菱沸石膜的方法,其特征在于,所述晶种层制备,在载体管的表面均匀涂覆T型晶种层的方法为浸渍法、热浸渍法、变温热浸渍法、湿擦涂法或真空涂晶法。

9.根据权利要求1所述的一种晶相转变制备菱沸石膜的方法,其特征在于,所述合成液质量组成为:KOH:NaOH:NaAlO2:SiO2:H2O=1:1~2:0.5~1.5:4~7:20~50。

10.根据权利要求1所述的一种晶相转变制备菱沸石膜的方法,其特征在于:所述菱沸石膜晶相转化过程中加热温度为120~160℃,加热时间为96~144h。