1.一种用于电化学识别半胱氨酸对映体的分子印迹海藻酸钠/二氧化锰修饰电极的制备方法，其特征在于：步骤如下：

a、制备海藻酸钠修饰电极：配制25mL海藻酸钠溶液，将玻碳电极浸入海藻酸钠溶液中，恒电位条件下进行电沉积，电沉积一定时间，得到海藻酸钠修饰的玻碳电极；

b、制备分子印迹海藻酸钠/二氧化锰修饰电极：将步骤a中制得的海藻酸钠修饰玻碳电极浸入含有L-半胱氨酸、MnSO4和K2SO4的混合溶液中，恒电位条件下电沉积一定时间，得到掺杂有L-半胱氨酸模板分子的海藻酸钠/二氧化锰复合材料修饰电极；将该电极浸入到磷酸盐缓冲溶液中，在电极上施加恒电位一定时间脱去模板分子，得到分子印迹海藻酸钠/二氧化锰修饰电极；

c、电化学识别半胱氨酸对映体：分子印迹海藻酸钠/二氧化锰修饰电极为工作电极，铂片电极为对电极，Ag/AgCl电极为参比电极，将该三电极体系分别浸入配制的L-/D-半胱氨酸溶液中，恒电位富集一段时间后，以一定的扫速进行差分脉冲测试；每次测完后将修饰电极浸入pH＝7.0的磷酸盐缓冲溶液中，通过循环伏安扫描以恢复电极活性。

2.根据权利要求1所述一种用于电化学识别半胱氨酸对映体的分子印迹海藻酸钠/二氧化锰修饰电极的制备方法，其特征是：所述步骤a中海藻酸钠的浓度为1～3mg mL-1，电沉积的电位为0.3～0.6V，电沉积时间为400～600s。

3.根据权利要求1所述一种用于电化学识别半胱氨酸对映体的分子印迹海藻酸钠/二氧化锰修饰电极的制备方法，其特征是：所述步骤b中L-半胱氨酸的浓度为1～3mM，MnSO4的浓度为3～5mM，K2SO4的浓度为40～60mM，电沉积电位为0.8V～1V，电沉积时间1500～3000s，脱掺杂电位为1.5～2V,脱掺杂时间为1000～2000s。

4.根据权利要求1所述一种用于电化学识别半胱氨酸对映体的分子印迹海藻酸钠/二氧化锰修饰电极的制备方法，其特征是：所述步骤c中L-/D-半胱氨酸溶液的浓度均为0.1～

2.0mM，富集电位为0.2～0.4V,富集时间为800～1200s。