1.一种电子用三维纳米结构表面增透膜片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、镀膜：以石英玻璃为基底，在基底上生长厚度为100 200nm的聚四氟乙烯薄膜；

~

步骤二、掩膜制备：将步骤一制备的聚四氟乙烯薄膜加热至280 350℃，并保温10~ ~

20min，制备聚四氟乙烯小球掩膜层；

步骤三、刻蚀：采用等离子体刻蚀方法刻蚀作为基底的石英玻璃；

步骤四、清洗：采用浓硫酸与双氧水的混合液，在80 100℃下加热10 15min，去除未刻~ ~蚀的聚四氟乙烯以及石英槽内的其他残留物。

2.根据权利要求1所述的一种电子用三维纳米结构表面增透膜片的制备方法，其特征在于：步骤一的镀膜工艺为：使用等离子体增强化学气相沉积设备，在基底上以C4F8气体为反应气体，在基底的表面生长聚四氟乙烯薄膜。

3.根据权利要求2所述的一种电子用三维纳米结构表面增透膜片的制备方法，其特征在于：等离子体增强化学气相沉积设备中的腔体压力为10 20Pa，功率为200 300W，C4F8气体~ ~的流量为40 80sccm。

~

4.根据权利要求1所述的一种电子用三维纳米结构表面增透膜片的制备方法，其特征在于：步骤三的刻蚀工艺为：使用电感耦合等离子体刻蚀机刻蚀石英玻璃，其腔体压力为1~

5Pa，上电极功率为400 600W，下电极功率为200 300W，CHF3作为刻蚀气体，CHF3流量为40~ ~ ~

80sccm。

5.根据权利要求4所述的一种电子用三维纳米结构表面增透膜片的制备方法，其特征在于：石英玻璃的刻蚀深度>200nm，深宽比>2：1。

6.根据权利要求1所述的一种电子用三维纳米结构表面增透膜片的制备方法，其特征在于：步骤四中，浓硫酸的质量百分比浓度为98%，双氧水的质量百分比浓度为30%，浓硫酸与双氧水按照3：1的重量比混合成混合液。

7.根据权利要求1所述的一种电子用三维纳米结构表面增透膜片的制备方法，其特征在于：步骤二和步骤三均在真空度小于5.0×10-4Pa的条件下进行。