1.一种热电堆红外探测器，其特征在于，包括经加工硅衬底，在所述经加工硅衬底上设置的红外吸收层，对所述经加工硅衬底的中部进行图形化及腐蚀化后形成的开口向下的背腔，所述背腔内设置有金属反射层；通过所述经加工硅衬底、所述金属反射层、所述红外吸收层围合形成一腔体，所述腔体即为光学谐振腔；其中，所述背腔内沿着所述金属反射层背面设置有支撑层，以支撑所述金属反射层；

其中，所述红外吸收层上设置有图形化后的多个热电偶第一种材料，所述多个热电偶第一种材料中的每相邻两个热电偶第一种材料之间的间隔距离为预设距离；所述多个热电偶第一种材料上和所述红外吸收层上覆盖有隔离膜；所述隔离膜与每个热电偶第一种材料的顶部接触面上均设置有两个接触孔，在所有所述接触孔中每相邻两个热电偶第一种材料上相邻的两个接触孔及该相邻两个接触孔之间的所述隔离膜的部分隔离膜上均设置有热电堆第二种材料，以形成金属热电堆互联图形，所述热电堆第二种材料表面上设置有钝化层，所述钝化层上设置有多个线孔；其中，每相邻两个所述热电堆第二种材料之间的钝化层上，设置有一个线孔。

2.根据权利要求1所述的热电堆红外探测器，其特征在于，所述光学谐振腔的厚度不小于1μm。

3.根据权利要求2所述的热电堆红外探测器，其特征在于，所述支撑层的材料为氧化硅和/或氮化硅。

4.根据权利要求1所述的热电堆红外探测器，其特征在于，所述经加工硅衬底包括：原硅衬底、在所述原硅衬底上设置的第一复合膜的第一复合边缘部和第二复合边缘部、在所述第一复合边缘部上设置的牺牲层的第一牺牲边缘部和在所述第二复合边缘部上设置的所述牺牲层的第二牺牲边缘部。

5.一种热电堆红外探测器的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

在经加工硅衬底上设置红外吸收层；

对经加工硅衬底的中部进行图形化及腐蚀化，形成开口向下的背腔；

在所述背腔内设置金属反射层，进而通过所述经加工硅衬底、所述金属反射层、所述红外吸收层围合形成一腔体，所述腔体即为光学谐振腔；

其中，在所述形成开口向下的背腔之前，所述方法还包括：

在所述红外吸收层上设置热电堆第一种材料并图形化，形成图形化后的多个热电偶第一种材料，所述多个热电偶第一种材料中的每相邻两个热电偶第一种材料之间的间隔距离为预设距离；

在所述多个热电偶第一种材料上和所述红外吸收层上覆盖有隔离膜；在所述隔离膜与每个所述热电偶第一种材料的顶部接触面上均设置两个接触孔；

在所有所述接触孔中每相邻两个热电偶第一种材料上相邻的两个接触孔及该相邻两个接触孔之间的所述隔离膜的部分隔离膜上均设置热电堆第二种材料，以形成金属热电堆互联图形；

在所述热电堆第二种材料表面上设置钝化层并图形化；所述图形化后的钝化层上设置多个线孔；其中，每相邻两个所述热电堆第二种材料之间的钝化层上，设置有一个线孔。