1.一种架空式热电堆红外探测器，其特征在于按照如下步骤加工获得：

a、采用LPCVD技术在SOI衬底正面沉积SiO2，形成SiO2薄膜（1），用作后续深硅刻蚀的硬掩模；

b、采用深硅刻蚀工艺在SOI衬底正面加工两个矩形环路状的隔离槽（2），所述隔离槽（2）以SOI衬底的隐埋氧化层（3）为底，两隔离槽（2）横向并排设置，在SOI衬底正面划分出了两个热电偶加工区（4），且两隔离槽（2）间留有后续加工用空间；

c、采用LPCVD技术在SOI衬底正面沉积SiO2，填充隔离槽，同时形成SiO2介质支撑膜（5）；

d、采用LPCVD技术、离子注入工艺、光刻工艺、刻蚀工艺在SiO2介质支撑膜（5）上与热电偶加工区（4）对应的区域加工用于构成热电偶的N型多晶硅条（6）和P型多晶硅条（7），各区域内的N型多晶硅条（6）与P型多晶硅条（7）成对设置，按纵向、平行、交替排列；且各区域内除排列于首位或末尾的多晶硅条外，其余多晶硅条与另一区域内的异型多晶硅条一一对应，且同行设置；

e、采用LPCVD技术在SiO2介质支撑膜（5）上沉积SiO2，形成覆盖N型多晶硅条（6）和P型多晶硅条（7）的下层SiO2隔离层（8）；然后采用光刻工艺和刻蚀工艺在下层SiO2隔离层（8）上形成：用于后续实现P型多晶硅条（7）与对应N型多晶硅条（6）连接构成热电偶的金属连接加工孔（9）、用于后续实现两区域内热电偶串联构成热电堆的金属连接加工孔（10）、用于后续实现热电堆输出焊盘的焊盘加工孔（12）、用于后续实现热电堆与输出焊盘间连接的金属连接加工孔（11）；

f、采用金属溅射工艺在下层SiO2隔离层上溅射金属铝，然后采用光刻工艺和刻蚀工艺在上述各加工孔对应位置处形成将P型多晶硅条（7）与对应N型多晶硅条（6）连接构成热电偶的铝条（13）、将两区域内热电偶串联构成热电堆的铝条（14）、热电堆的输出焊盘（16）、连接输出焊盘与热电堆的铝条（15），实现热电堆结构；所述热电堆结构有两个热结区（17）和一个冷结区（18），两个热结区（17）分别位于两热电偶加工区（4）内，冷结区（18）处于两热结区（17）之间，位于两隔离槽（2）间预留的区域内；

g、采用PECVD技术在下层SiO2隔离层上沉积SiO2，形成覆盖热电堆结构的上层SiO2隔离层（19），然后采用光刻工艺和刻蚀工艺露出热电堆的输出焊盘（16），并在与热电偶加工区（4）对应的区域内、避开热电偶形成贯通至SOI衬底顶层硅（20）的用于后续加工的释放孔（21）；

h、采用聚酰亚胺固化技术在上层SiO2隔离层（19）表面沉积聚酰亚胺，填充释放孔（21），并形成聚酰亚胺牺牲层（22）；然后采用干法刻蚀工艺在聚酰亚胺牺牲层（22）上与热电堆两个热结区（17）对应的区域分别加工形成以上层SiO2隔离层（19）为槽底的倒梯形凹槽（23），露出热电堆的两个热结区（17）；

i、采用PECVD工艺在聚酰亚胺牺牲层表面及倒梯形凹槽内表面沉积三层薄膜结构，用作后续加工热辐射吸收层，其中，底层为SiO2支撑膜（24），中间层（26）为多晶硅薄膜或者单晶硅薄膜或者非晶硅薄膜，顶层为SiO2保护膜（27）；

j、采用氧等离子体干法去胶技术去除聚酰亚胺牺牲层（22）；

k、采用XeF2气体经释放孔（21）正面腐蚀SOI衬底的顶层硅（20），将SiO2介质支撑膜（5）下的热电偶加工区空腔化，形成悬浮结构的热电堆；

l、最后采用干法刻蚀工艺将三层薄膜结构的顶层和中间层（26）进行刻蚀，形成纳米森林结构，实现架空式热辐射吸收层（25），得到探测器成品。