1.一种具有通式(Ⅰ)的吡啶基Mn(Ⅱ)化合物：

其中，R为氢原子、C1～C6烷基、C2～C5链烯基、C3～C10环烷基、C6～C10芳基或—Si(R1)3，R1为C1～C6烷基。

2.根据权利要求1所述的吡啶基Mn(Ⅱ)化合物，其特征在于，所述化合物的结构为：

3.权利要求1所述吡啶基Mn(Ⅱ)化合物的制备方法，其特征是，所述方法包括以下步骤：(1)将2-氨基吡啶或其衍生物溶解在反应溶剂中，2-氨基吡啶或其衍生物与反应溶剂的质量比为1:10～1:20，在-78～0℃保持搅拌的条件下加入烷基锂溶液中，2-氨基吡啶或其衍生物与烷基锂的摩尔比为1:1～1.2，烷基锂溶液的浓度为1.0～3.0M，搅拌速度为100～1000转/分钟；恢复到室温后继续搅拌反应1～10小时，得到反应混合液；所述反应溶剂为正己烷、甲苯、二氯甲烷、四氢呋喃或乙醚；

(2)另按照2-氨基吡啶或其衍生物与二氯化锰摩尔比2:0.9～1.1的比例，称取一定量的二氯化锰，并按照二氯化锰质量比1:10～20的比例加入四氢呋喃溶液；

(3)在-78℃将(1)所得反应混合液滴加到二氯化锰的四氢呋喃溶液中，缓慢升温至室温，升温速度为0.5～1℃/分钟，在室温下继续搅拌反应15～25小时；

(4)将步骤(3)得到的反应混合物进行减压除去易挥发物，然后加入己烷、甲苯、二氯甲烷、四氢呋喃或乙醚溶剂溶解，过滤提取，收集滤液，并在-20～30℃反复重结晶后得到所述的吡啶基Mn(Ⅱ)化合物。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述烷基锂溶液为甲基锂、正丁基锂、叔丁基锂的乙醚或者正己烷溶液。

5.权利要求1所述吡啶基Mn(Ⅱ)化合物在微电子材料中的应用。

6.根据权利要求5所述的应用，其特征在于，所述的应用是用于铜互连阻挡层材料。

7.根据权利要求6所述的应用，其特征在于，所述应用是以权利要求1所述的吡啶基Mn(Ⅱ)化合物作为前驱体，制备金属或金属合金薄膜。

8.根据权利要求6或7所述的应用，其特征在于，所述应用是以权利要求1所述的吡啶基Mn(Ⅱ)化合物作为前驱体，通过化学气相沉积工艺制备金属或金属合金薄膜。

9.根据权利要求6或7所述的应用，其特征在于，所述应用是以权利要求1所述的吡啶基Mn(Ⅱ)化合物作为前驱体，通过原子层沉积工艺制备金属或金属合金薄膜。