1.一种聚吡咯/银@溴化银核壳纳米线阵列材料的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：

1）银纳米线的制备：将聚乙烯吡咯烷酮的乙二醇溶液搅拌10min以上，然后油浴加热至≥160℃保温时间不超过5min；再向其中逐滴加入现配的硝酸银的乙二醇溶液，等到溶液颜色变成亮黄色，立即加入NaCl 溶液，保温反应30min以上，整个过程都需要搅拌；

冷却、产物洗涤、干燥后得银纳米线，其尺寸在100nm以下；

2）银@溴化银核壳纳米线的制备：将步骤1）制备的银纳米线和铁块置于NaBr的溶液，反应后，洗涤、干燥，即制得银@溴化银核壳纳米线阵列；

3）聚吡咯/银@溴化银核壳纳米线阵列材料的制备：将步骤2）制备的银@溴化银核壳纳米线分散在N,N-二甲基甲酰胺中，然后滴在玻碳电极上，静置，干燥后电沉积聚吡咯薄膜；

步骤1）中所述整个过程都需要搅拌，搅拌时转速控制在≤15 r/min；

步骤2）所述反应是指室温下避光反应≥24h。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤3）中所述静置是指常温下至少静置一天。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤3）中所述电沉积具体为：使用三电极体系，在含有吡咯的NaClO4溶液中利用循环伏安法，制备聚吡咯/银@溴化银核壳纳米线阵列材料。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，步骤3）中所述循环伏安法具体过程为：电压范围为-0.6V至0.8V，扫描速度为≤0.05V/s，连续做六个循环以上。

5.一种利用权利要求1-4任一项所述的方法制备得到的聚吡咯/银@溴化银核壳纳米线阵列材料。

6.一种权利要求5所述的聚吡咯/银@溴化银核壳纳米线阵列材料的修饰在玻碳电极上直接作为光电检测的工作电极的应用。

7.一种权利要求6所述的聚吡咯/银@溴化银核壳纳米线阵列材料的喷涂在导电的聚对苯二甲酸乙二醇酯PET上制成柔性电极的应用。