1.一种芯片的转移方法，包括以下步骤：

在晶圆芯片的凸点背面沉积含有磁性材料的有机材料层；

将导电杆接通正向电流，利用导电杆头部镀有的软磁材料与所述有机材料层相反的磁性，使导电杆与所述晶圆芯片吸附；

将所述晶圆芯片倒装焊接后，将导电杆接通反向电流使导电杆与晶圆芯片脱离；所述有机材料层的有机材料为有机硅树脂或环氧树脂，透光率在95％以上；

所述有机材料层中的磁性材料为镍基合金或铁氧体材料，含量小于5wt％。

2.根据权利要求1所述的转移方法，其特征在于，所述软磁材料为FeNi(Mo)、FeSi、FeAl、FeSiAl、羰基铁或铁氧体。

3.根据权利要求1所述的转移方法，其特征在于，所述有机材料层的厚度为0.001mm～

0.01mm。

4.根据权利要求1所述的转移方法，其特征在于，所述导电杆头部的尺寸小于等于晶圆芯片的尺寸。