1.一种紫外LED光源倒装结构，其特征在于，所述紫外LED光源倒装结构包括：衬底；

设置在所述衬底上的外延层结构；所述外延层结构包括：在第一方向上依次设置的缓冲及成核层、超晶格结构、n型导电层、量子阱有源区、电子阻挡层、p型导电层、电流扩展层以及金属反射层；其中，所述第一方向垂直于所述衬底、且由所述衬底指向所述外延层结构；

贯穿所述金属反射层以及部分所述电流扩展层的第一电极凹槽；

贯穿所述n型导电层、所述量子阱有源区、所述电子阻挡层、所述p型导电层、所述电流扩展层以及所述金属反射层的第二电极凹槽；

与所述第一电极凹槽接触连接的p电极，与所述第二电极凹槽接触连接的n电极；

设置于所述外延层结构背离所述衬底一侧的环形金属条结构，所述环形金属条结构对所述p电极以及所述n电极进行环形包裹，且与所述p电极连接，与所述n电极不连接。

2.根据权利要求1所述的紫外LED光源倒装结构，其特征在于，所述紫外LED光源倒装结构还包括：钝化层；

其中，所述钝化层覆盖在所述外延层结构的表面。

3.根据权利要求1所述的紫外LED光源倒装结构，其特征在于，所述p型导电层包括：p型AlGaN层以及p型GaN层；

其中，所述p型AlGaN层以及p型GaN层在所述第一方向上依次设置于所述电子阻挡层与所述电流扩展层之间。

4.根据权利要求1所述的紫外LED光源倒装结构，其特征在于，所述紫外LED光源倒装结构还包括：设置于所述第二电极凹槽底部的金属层；

分别设置于所述第一电极凹槽内部侧壁以及所述第二电极凹槽内部侧壁的绝缘层；

分别设置于所述第一电极凹槽内部侧壁以及所述第二电极凹槽内部侧壁背离所述绝缘层一侧的电极接触结构。

5.根据权利要求1所述的紫外LED光源倒装结构，其特征在于，所述紫外LED光源倒装结构还包括：与所述p电极以及所述n电极连接的散热衬底。

6.根据权利要求5所述的紫外LED光源倒装结构，其特征在于，所述紫外LED光源倒装结构还包括：设置于所述散热衬底表面，且与所述p电极以及所述n电极接触连接的薄膜导电层。

7.根据权利要求6所述的紫外LED光源倒装结构，其特征在于，所述紫外LED光源倒装结构还包括：设置于所述薄膜导电层与所述散热衬底之间的金属布线层。

8.根据权利要求5所述的紫外LED光源倒装结构，其特征在于，所述紫外LED光源倒装结构还包括：与所述散热衬底固定连接的基座；

设置与所述基座与所述散热衬底之间的导电银浆层。

9.根据权利要求1所述的紫外LED光源倒装结构，其特征在于，所述紫外LED光源倒装结构还包括：用于封装紫外LED光源的支架，以及与所述支架相匹配的密封透镜。

10.根据权利要求9所述的紫外LED光源倒装结构，其特征在于，所述紫外LED光源倒装结构还包括：设置于所述支架内侧的直角三角形的反光杯，以及设置于所述反光杯、所述外延层结构以及所述密封透镜之间的发光填充材料。