1.一种紫外LED外延结构，其特征在于，包括：

衬底；

依次生长在所述衬底上的未掺杂缓冲层、N型AlGaN层、多量子阱结构、超晶格结构、电子阻挡层、P型AlGaN层和P型GaN层；

其中，所述超晶格结构包括至少一层第一AlGaN层和至少一层第二AlGaN层，所述第一AlGaN层和所述第二AlGaN层交替叠加，所述超晶格结构中每层结构的厚度相同，所述第一AlGaN层中Al组分高于第二AlGaN层中Al组分，第一AlGaN层生长在多量子阱结构的表面。

2.根据权利要求1所述的紫外LED外延结构，其特征在于，所述多量子阱结构包括交替生长的6个周期的Al0.36Ga0.64N/Al0.5Ga0.5N。

3.根据权利要求2所述的紫外LED外延结构，其特征在于，所述第一AlGaN层为AlxGa1-xN层，所述第二AlGaN层为Al0.36Ga0.64N层，且所述第一AlGaN层生长在所述多量子阱中的Al0.5Ga0.5N层表面。

4.根据权利要求3所述的紫外LED外延结构，其特征在于，所述x的取值范围为0.51≤x≤0.57。

5.根据权利要求4所述的紫外LED外延结构，其特征在于，所述超晶格结构包括7个周期的AlxGa1-xN/Al0.36Ga0.64N，每层AlxGa1-xN层和每层Al0.36Ga0.64N层的厚度均为1nm，掺杂浓度为5×1017cm-3，生长温度为1020℃。

6.根据权利要求1-5任意一项所述的紫外LED外延结构，其特征在于，所述衬底为C面的蓝宝石衬底。

7.根据权利要求1-5任意一项所述的紫外LED外延结构，其特征在于，所述未掺杂缓冲层为Al0.5Ga0.5N缓冲层，厚度为1.5μm，生长温度为530℃，且所述Al0.5Ga0.5N缓冲层在1050℃恒温6分钟重结晶。

8.根据权利要求1-5任意一项所述的紫外LED外延结构，其特征在于，所述N型AlGaN层为N型Al0.5Ga0.5N层，厚度为3.0μm，掺杂浓度为5×1018cm-3，生长温度为1050℃。

9.根据权利要求2所述的紫外LED外延结构，其特征在于，所述多量子阱中的生长温度为1020℃，其中，每层Al0.36Ga0.64N厚度为8nm，每层Al0.5Ga0.5N层厚度为3nm。

10.根据权利要求1所述的紫外LED外延结构，其特征在于，所述电子阻挡层为10nm厚的P型Al0.65Ga0.35N层，掺杂浓度为2×1017cm-3，生长温度为990℃。

11.根据权利要求1所述的紫外LED外延结构，其特征在于，所述P型AlGaN层为10nm厚的P型Al0.5Ga0.5N层，掺杂浓度为5×1017cm-3，生长温度为990℃。

12.根据权利要求1所述的紫外LED外延结构，其特征在于，所述P型GaN层，厚度为

100nm，生长温度为990℃，掺杂浓度为1×1018cm-3。