1.一种实现短波长紫外LED的外延结构，其特征在于：所述外延结构自下而上包括依次设置的衬底、GaN缓冲层、未掺杂的GaN层、掺杂N型GaN层、多量子阱AlGaN/GaN层、P型AlGaN电子阻挡层、渐变P型AlGaN层和P型GaN层；

所述多量子阱AlGaN/GaN层由多量子阱AlGaN层和多量子阱GaN层按6个周期的交替生长而成，其中每层多量子阱AlGaN层组分比例为Al0.15Ga0.85N，厚度为8‑10nm；每层多量子阱GaN层为2‑3nm厚，生长温度为1020‑1050℃；

所述P型AlGaN电子阻挡层的组分比例为Al0.3Ga0.7N，厚度为10‑15nm，生长温度为960‑

1000℃；

所述渐变P型AlGaN层具体组分为AlxGa1‑x，x为从0.25到0.1的线性降低，厚度为90‑

110nm，生长温度为960‑1000℃；

所述GaN缓冲层的厚度为20～25nm，生长温度为530‑550℃，并在1030‑1080℃恒温6‑8分钟使GaN缓冲层重结晶；

所述未掺杂的GaN层的厚度为2.0～2.5μm，生长温度为1030‑1080℃；

所述掺杂N型GaN层的厚度为2.5‑3μm，生长温度为1030‑1080℃；

所述P型GaN层的厚度为20‑25nm，生长温度为960‑1000℃，并在680‑730℃下退火20‑25分钟。

2.根据权利要求1所述的一种实现短波长紫外LED的外延结构，其特征在于：所述衬底为蓝宝石衬底。