1.一种化银工艺中爬银的抑制方法，其特征在于，包括步骤A；A.有机醇胺处理：在化银前对待化银的电路板表面用有机醇胺浸润，得到抑制处理后的电路板。

2.根据权利要求1所述的化银工艺中爬银的抑制方法，其特征在于，在步骤A之前，还包括步骤S，S.待化银的电路板的预处理：电路板依次经过除油、水洗、微蚀、水洗、预浸后，得到待化银的电路板。

3.根据权利要求2所述的化银工艺中爬银的抑制方法，其特征在于，在步骤A之后，还包括步骤J，J.化银：将待化银的电路板进行化银处理。

4.根据权利要求1-3任意一项所述的化银工艺中爬银的抑制方法，其特征在于，所述步骤A中所述有机醇胺为单乙醇胺、丙醇胺、丁醇胺中的一种或几种。

5.根据权利要求1-3任意一项所述的化银工艺中爬银的抑制方法，其特征在于，所述步骤A中所述有机醇胺为单乙醇胺水溶液；所述单乙醇胺水溶液中单乙醇胺的质量分数为

15％-25％。

6.根据权利要求5所述的化银工艺中爬银的抑制方法，其特征在于，所述单乙醇胺的浸润温度为40-60℃。

7.根据权利要求6所述的化银工艺中爬银的抑制方法，其特征在于，所述单乙醇胺的浸润时间为10-20min。