1.一种三维纳米结构阵列，其特征在于，由规则排列的半导体纳米线阵列及在其上辐射状生长的半导体纳米线阵列构成。

2.根据权利要求1所述的三维纳米结构阵列，其特征在于，所述半导体为具有单晶结构的硫化亚铜。

3.根据权利要求1所述的三维纳米结构阵列，其特征在于，所述的规则排列的半导体纳米线的直径为50nm-1μm，长度为100nm-50μm。

4.根据权利要求1所述的三维纳米结构阵列，其特征在于，所述的辐射状生长的半导体

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纳米线的直径为10nm-300nm，长度为20nm-5μm，密度为10-10根/μm。

5.一种如权利要求1所述的三维纳米结构阵列的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)采用物理气相沉积法或电化学沉积法在衬底上沉积铜膜，然后将沉积了铜膜的衬底放入氧气/硫化氢混合气体中，在10-200℃下气固反应1-500h，铜膜转换为规则排列的硫化亚铜纳米线阵列；所述的铜膜厚度为600nm；

(2)通过物理气相沉积或者电化学在硫化亚铜纳米线阵列表面沉积铜颗粒；铜颗粒大小为1-100nm；

(3)将表层沉积了铜颗粒的硫化亚铜纳米线阵列放入氧气/硫化氢混合气体中，在10-

50℃下气固反应1-50h，铜颗粒转换为辐射状生长的硫化亚铜纳米线阵列，得到三维纳米结构阵列。

6.根据权利要求5所述的三维纳米结构阵列的制备方法，其特征在于，所述的衬底为陶瓷、云母、高分子塑料、金属片、硅片、玻璃或不锈钢片。

7.根据权利要求5所述的三维纳米结构阵列的制备方法，其特征在于，所述的物理气相沉积法为溅射法、热蒸发法、电子束蒸发法或激光束蒸发法；所述的电化学沉积法为脉冲电化学沉积、恒压电化学沉积或恒流电化学沉积。

8.根据权利要求5所述的三维纳米结构阵列的制备方法，其特征在于，所述的氧气/硫化氢混合气体中，硫化氢所占体积百分比为1-100％。

9.一种权利要求1所述的三维纳米结构阵列在光伏领域的应用。