1.一种提高紫外LED光输出功率的外延结构，其特征在于：所述外延结构自下而上包括依次设置的衬底，GaN缓冲层，未掺杂的GaN层，掺杂N型GaN层，AlGaN/GaN多量子阱结构，插入层，电子阻挡层EBL，P型GaN层；

所述GaN缓冲层厚度为20‑25nm，生长温度为530‑550℃，并在1050℃恒温6分钟使GaN缓冲层重结晶；

所述未掺杂的GaN层厚度为2.0‑2.5μm，生长温度为1050℃；

18 ‑3

所述掺杂N型GaN层的厚度为2.5‑3.0μm，其中Si掺杂浓度为5x10 cm ，生长温度为1050℃；

所述多量子阱AlGaN/GaN结构由多量子阱AlGaN层和多量子阱GaN层按6个周期的交替生长而成，其中每层多量子阱AlGaN组分比例为Al0.15Ga0.85N，厚度为8‑10nm；每层多量子阱GaN为2‑3nm厚，生长温度为1020℃；

所述插入层为未掺杂Al0.25Ga0.75N，厚度为4‑5nm，生长温度为990℃；

17 ‑3

所述电子阻挡层EBL为P型Al0.2Ga0.8N层，厚度为20‑25nm，其中Mg掺杂浓度为5x10 cm ；

所述P型GaN层的厚度为80‑100nm，生长温度为990℃，并在700℃下退火20‑25分钟。

2.根据权利要求1所述的一种提高紫外LED光输出功率的外延结构，其特征在于：所述衬底采用蓝宝石衬底。

3.制造根据权利要求1或2所述的一种提高紫外LED光输出功率的外延结构的方法，其特征在于:所采用制备仪器为MOCVD，所采用的Ga源为三甲基镓TMGa，Al源为三甲基铝TMAl，氮源为氨气NH3，载气为H2，N型和P型掺杂源分别为硅烷SiH4和二茂镁Cp2Mg。