1.一种Te/PbTe异质结纳米薄膜的制备方法，其特征在于具体步骤为：

(1)将事先裁好的氧化铟锡导电玻璃电极依次用分析纯丙酮、分析纯乙醇和二次水各超声清洗5 min，最后空气干燥后制得基体电极；

(2)量取9ml浓度为0.1mol/L的H2SO4溶液，置于20 mL烧杯中建立三电极体系，其中步骤(1)制得的基体电极作为工作电极，Ag/AgCl为参比电极，Pt为辅助电极，用恒电位法进行还原，电位设为-0.95V，时间为30s，还原结束后，取出工作电极，其表面有还原析出的In2O3薄层，制得In2O3薄层基片；

(3)依次量取1mL浓度为0.2 mol/L的Pb(NO3)2溶液、1mL浓度为0.2 mol/L的EDTA溶液、

4mL浓度为0.04mol/L的TeO2溶液和4mL浓度为1.25 mol/L的Na2SO4溶液一起置于20 mL烧杯中混合均匀，配制得到电沉积PbTe薄膜底液；

(4)在步骤(3)配制的电沉积PbTe薄膜底液中建立三电极体系，其中，步骤(2)制得的In2O3薄层基片作为工作电极，Ag/AgCl为参比电极，Pt为辅助电极，用循环伏安法进行电沉积，扫描范围为-1 0V，扫描速度为0.05V/s，扫描段数为20 30段，沉积结束后，取出工作电~ ~极，其表面上就沉积出PbTe薄膜，制得PbTe薄膜基片；

(5)量取9mL浓度为0.1mol/L的NaNO3溶液，置于20 mL烧杯中，把步骤(4)制得的PbTe薄膜基片作为工作电极，Ag/AgCl为参比电极，Pt为辅助电极，用循环伏安法进行氧化处理，扫描范围为0 1V，扫描速度为0.1V/s，扫描段数为6 20段，氧化结束后，取出工作电极，其表面~ ~上就得到Te/PbTe薄膜，即制得Te/PbTe异质结纳米薄膜。