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专利号: 2017100733256
申请人: 长春理工大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 玻璃;矿棉或渣棉
更新日期:2023-12-11
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种高强度抑菌抗菌二硅酸锂玻璃陶瓷制备方法,其特征在于,按基体玻璃重量百分配比65~75%SiO2,12~20%Li2O,1~5%K2O,1~4%Al2O3,1~3%B2O3,0.5~3%P2O5,

0.5~4%ZrO2配料,另外按基体玻璃重量0.1~8%的比例确定所述高强度抑菌抗菌二硅酸锂玻璃陶瓷中Ag2O、ZnO、CuO的总量,并且,0≤Ag2O含量≤2%,0≤ZnO≤5%,0≤CuO含量≤

1%,只允许Ag2O、ZnO、CuO含量中的两个含量同时等于零,采用高温熔融法制得基体玻璃;

将所制得的基体玻璃在450℃~550℃温度下核化1.5~2.5h;再进行三步晶化:在650~680℃温度下晶化1~3小时,在710~740℃温度下晶化20~60分钟,在800~830℃温度下晶化

10~20分钟,得高强度抑菌抗菌二硅酸锂玻璃陶瓷。

2.根据权利要求1所述的高强度抑菌抗菌二硅酸锂玻璃陶瓷制备方法,其特征在于,SiO2:Li2O的摩尔比大于等于2.3:1,K2O:Al2O3的摩尔比大于等于1.1:1。

3.根据权利要求1所述的高强度抑菌抗菌二硅酸锂玻璃陶瓷制备方法,其特征在于,Li2O以碳酸盐的形式引入,K2O、Ag2O以硝酸盐的形式引入。

4.根据权利要求1所述的高强度抑菌抗菌二硅酸锂玻璃陶瓷制备方法,其特征在于,所述配料中或者添加1~5wt%的SrO,并以硝酸盐的形式引入。

5.根据权利要求1所述的高强度抑菌抗菌二硅酸锂玻璃陶瓷制备方法,其特征在于,掺杂共有六种方案:分别单一掺杂Ag+、Zn2+、Cu2+,分别复合掺杂Ag+和Zn2+、Ag+和Cu2+、Ag+和Zn2+和Cu2+。