1.一种可编程熔丝结构，包括：

衬底；

在所述衬底上表面的浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构的顶面高于所述衬底的上表面；

位于浅沟槽隔离结构中的一可编程熔丝，所述可编程熔丝包括两第一电极、分别连接两第一电极的两个第一垂直部分以及连接两个第一垂直部分的第一水平部分；

其中，两第一电极位于所述浅沟槽隔离结构的上表面的两端，两个第一垂直部分沿着所述浅沟槽隔离结构的深度方向具有第一长度，所述第一水平部分被浅沟槽隔离结构的隔离材料覆盖，且在所述浅沟槽隔离结构中具有第一深度；所述浅沟槽隔离结构中还包括另一可编程熔丝结构。

2.根据权利要求1所述的可编程熔丝结构，其特征在于，所述可编程熔丝结构为多晶硅熔丝结构。

3.根据权利要求1所述的可编程熔丝结构，其特征在于，所述两第一电极的宽度大于所述第一垂直部分和所述第一水平部分的宽度。

4.根据权利要求3所述的可编程熔丝结构，其特征在于，所述第一垂直部分和所述第一水平部分的宽度相同。

5.根据权利要求1所述的可编程熔丝结构，其特征在于，所浅沟槽隔离结构的隔离材料为氧化硅。

6.根据权利要求1所述的可编程熔丝结构，其特征在于，所述另一可编程熔丝包括两第二电极、分别连接两第二电极的两个第二垂直部分以及连接两个第二垂直部分的第二水平部分；其中，两第二电极位于所述浅沟槽隔离结构的上表面的另一两端，两个第二垂直部分沿着所述浅沟槽隔离结构的深度方向具有第二长度，所述第二水平部分被浅沟槽隔离结构的隔离材料覆盖，且在所述浅沟槽隔离结构中具有第二深度。

7.根据权利要求6所述的可编程熔丝结构，其特征在于，所述第二水平部分和所述第一水平部分呈一非零的夹角。