1.一种n-Si/CdSSe叠层太阳电池，其特征在于：包括由上至下依次叠置的CdSSe薄膜顶电池、隧穿层和晶体硅底电池，所述隧穿层为双层氧化物结构，所述双层氧化物结构的上层材质为SnO2或In2O3，所述双层氧化物结构的下层材质为Al2O3或SiO2。

2.根据权利要求1所述的n-Si/CdSSe叠层太阳电池，其特征在于：所述隧穿层厚度10～

50nm。

3.根据权利要求1所述的n-Si/CdSSe叠层太阳电池，其特征在于：所述CdSSe薄膜顶电池由下至上依次为CdSSe吸收层、窗口层和顶电极。

4.根据权利要求3所述的n-Si/CdSSe叠层太阳电池，其特征在于：所述窗口层为p型半导体或石墨烯。

5.根据权利要求4所述的n-Si/CdSSe叠层太阳电池，其特征在于：所述CdSSe吸收层厚度为200～400nm，所述p型半导体厚度为10～50nm。

6.根据权利要求3所述的n-Si/CdSSe叠层太阳电池，其特征在于：所述顶电极由透明导电氧化物薄膜TCO、Al、Au、Ag、Cu、Ni中的任意一种构成。

7.根据权利要求1所述的n-Si/CdSSe叠层太阳电池，其特征在于：所述晶体硅底电池为以n型硅为基底，p型硅为发射极的单晶或多晶硅太阳电池。

8.根据权利要求1所述的n-Si/CdSSe叠层太阳电池，其特征在于：所述晶体硅底电池为PERC、PERT、PERL、SHJ太阳电池中的任意一种。

9.根据权利要求1所述的n-Si/CdSSe叠层太阳电池，其特征在于：所述晶体硅底电池包括背表面场和金属背电极。

10.一种制备权利要求1-9中任意一项所述的n-Si/CdSSe叠层太阳电池的方法，包括以下步骤：

1)在晶体硅太阳电池表面通过物理或化学法制备隧穿层；

2)在隧穿层表面采用物理或化学或二者结合方法沉积一层CdSSe薄膜；

3)在CdSSe薄膜表面通过物理或化学法沉积CdSSe薄膜太阳电池的窗口层；

4)在窗口层表面制备顶电极。