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专利号: 2016109408778
申请人: 桂林理工大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 超微技术〔7〕
更新日期:2024-02-23
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种制备Pb3(PO4)2纳米线薄膜的方法,其特征在于具体步骤为:(1)将事先裁好的导电玻璃电极分别用分析纯丙酮、分析纯乙醇和二次水各超声清洗3 min,空气干燥后制得基体电极;

(2)依次量取1mL浓度为0.2 mol/L的 Pb(NO3)2溶液、1 mL浓度为0.2 mol/L的EDTA溶液、3.5 mL浓度为0.3 mol/L的Na2S2O3溶液和4 mL浓度为1.25 mol/L的Na2SO4溶液一起置于

20 mL烧杯中混合均匀,制得电沉积PbS薄膜底液;

(3)在步骤(2)制得的电沉积PbS薄膜底液中建立三电极体系,其中,步骤(1)制得的基体电极作为工作电极,Ag/AgCl为参比电极,Pt为辅助电极,用循环伏安法进行电沉积,扫描范围为-1 0V,扫描速度为0.05V/s,扫描段数为50 60段,沉积结束后,取出工作电极,其表~ ~面上就沉积出PbS薄膜,制得PbS基体电极;

(4)量取8mL PBS缓冲溶液加入洁净的生长瓶中,然后把步骤(3)制备的PbS基体电极斜放入生长瓶中,再将生长瓶置于45℃的水浴锅中恒温条件下反应48 72小时,最后取出PbS~基体电极,其上生长的薄膜即为Pb3(PO4)2纳米线薄膜;

所述导电玻璃电极为铟锡氧化物电极;

所述PBS缓冲溶液是浓度为0.2mol/L 的Na2HPO4-NaH2PO4缓冲溶液,其pH=6.8。