1.一种利用掩膜光刻技术一步制备微米级双层结构的方法，其特征在于，包括如下步骤：S1：设计用于制备微米级双层结构的掩膜版，掩膜版图案由周期性条带结构组成，一个周期的总宽度是80μm，其中一个周期中条带结构区域的宽度是40μm，透光区域的宽度也是

40μm，且在宽度为40μm的条带结构正中间开有4μm宽的透光区域；

S2：微米级双层结构的制备，步骤如下：

S21：将基片清洗干净并在其上旋转涂覆正性光刻胶材料，使用AZ9260光刻胶在

2500rpm的高速转速下涂覆40秒，先将涂好光刻胶的基片在室温下静置10分钟，再将其置于

65℃热板上加热5分钟，完成后立即将其置于95℃热板上再加热20分钟，然后取下冷却至室温，得到厚度为8.5μm的光刻胶涂层；

S22：将S1中的掩膜版与S21中制备的AZ9260光刻胶涂层紧密接触，并进行掩膜光刻，曝2

光能量140mJ/cm；

S23：将AZ400K显影液与去离子水按照1:3的体积比进行混合，配制成稀释了的显影液，然后将S22中曝光后的基片放在该显影液中显影320秒，便可在基片上制得微米级双层结构。

2.根据权利要求书1所述的一种利用掩膜光刻技术一步制备微米级双层结构的方法，其特征在于，所述步骤S2中使用的是正性光刻胶材料。

3.根据权利要求书1所述的一种利用掩膜光刻技术一步制备微米级双层结构的方法，其特征在于，所述步骤S2中使用的基片是硅片、玻璃片、或石英片。