1.一种用于LED的GaN外延结构，包括依次层叠的成核层、未掺杂GaN层、n型GaN层、多量子阱结构、p型电子阻挡层及p型GaN空穴活化层，其特征在于：还包括n应力释放层和p应力释放层，所述n应力释放层是由In组分含量递增渐变的InGaN/GaN超晶格层形成，所述p应力释放层是由In组分含量递增渐变的InN/GaN超晶格层形成；

其中，未掺杂GaN层包括纵向生长层与u-GaN横向生长层；所述n型GaN层包括低掺杂Si浓度的n-GaN层，Si掺杂的AlGaN层以及高掺杂Si浓度的n-GaN层；p型电子阻挡层是由Al组分含量递增渐变的p型AlGaN/GaN超晶格层形成；所述p型GaN空穴活化层为InGaN。

2.一种用于LED的GaN外延结构的制备方法，包括如下步骤：处理衬底，然后依次生长成核层、未掺杂GaN层、n型GaN层、多量子阱结构、p型电子阻挡层及p型GaN空穴活化层，其特征在于：n型GaN层和多量子阱结构之间生长n应力释放层，多量子阱结构和p型电子阻挡层之间生长p应力释放层，n应力释放层即InGaN/GaN超晶格层，p应力释放层即InN/GaN超晶格层，n应力释放层与p应力释放层生长时均是先生长一个超晶格势阱，再生长一个超晶格势垒，形成一个超晶格周期，然后周期重复性生长超晶格，相邻生长周期中In组分含量递增渐变。

3.根据权利要求2所述的用于LED的GaN外延结构的制备方法，其特征在于：未掺杂GaN层先纵向生长纵向生长层，后升温横向生长u-GaN横向生长层。

4.根据权利要求2所述的用于LED的GaN外延结构的制备方法，其特征在于：n型GaN层先生长低掺杂Si浓度的n-GaN层，再生长Si掺杂的AlGaN层，最后生长高掺杂Si浓度的n-GaN层。