1.一种晶体硅系太阳能电池的表面纳米复合结构制备方法，其特征在于，在晶体硅系太阳能电池表面已有结构上，利用等离子体增强化学气相沉积方法制备尺寸在1纳米到500纳米之间的锗纳米颗粒，进行表面修饰形成纳米尺度质构；

等离子体增强化学气相沉积方法使用的前躯体气体包括锗烷和氢气；通过气体的等离子放电产生活性基团来促进锗纳米金属颗粒生成的反应，锗纳米金属颗粒一步合成，并能够均匀的将其布置在晶体硅表面，得到锗量子点；

制备锗纳米颗粒时保持与锗纳米颗粒沉积时相同的功率，在氢气气氛中，通过氢等离子体对锗纳米颗粒进行表面修饰，钝化锗量子点表面悬挂键，修饰表面形貌，使其分散均匀。

2.根据权利要求1所述的一种晶体硅系太阳能电池的表面纳米复合结构制备方法，其特征在于，等离子体增强化学气相沉积金属纳米颗的沉积温度200-300℃。

3.根据权利要求1所述的一种晶体硅系太阳能电池的表面纳米复合结构制备方法，其特征在于，等离子体增强化学气相沉积使用直流电源或交流电源，使用交流电源时，其频率在100Hz–100MHz之间。

4.一种晶体硅系太阳能电池，其特征在于，晶体硅系太阳能电池的表面为由权利要求

1-3中所述的任意一种方法制备得到的纳米复合结构。