1.纳米硅/单晶硅异质结径向纳米线太阳电池的制备方法，所述异质结径向纳米线电池结构从里至外依次为：n型单晶硅纳米线、p型纳米硅层、氧化铝钝化层、氧化锌导电层或n型单晶硅纳米线、i型纳米硅层、p型纳米硅层、氧化铝钝化层、氧化锌导电层；p型纳米硅层厚度3~6 nm，光学带隙1.7~1.9 eV，i型纳米硅厚度10~20 nm；其特征在于所述制备方法具体为：利用湿法腐蚀工艺在n型单晶硅片的正面制备n型单晶硅纳米线后，利用PECVD在硅纳米线上生长p型纳米硅层或i型和p型纳米硅层，再利用原子层沉积技术在p型纳米硅层沉积一层1~5nm厚的氧化铝层；利用原子层沉积技术在氧化铝上再沉积一层10~20 nm-3 -2厚的掺铝氧化锌层，掺铝氧化锌层即为氧化锌导电层，其电阻率为1×10 ~1×10 Ωcm；在o未生长纳米线的n型单晶硅片背面真空蒸镀铝，最后快速退火处理：退火温度400~500C， 氮气氛保护，退火时间10~30min。

2.如权利要求1所述的纳米硅/单晶硅异质结径向纳米线太阳电池的制备方法，其特征在于：所述n型单晶硅片的电阻率为0.5~30Ωcm，厚度为150~220μm。

3.如权利要求1所述的纳米硅/单晶硅异质结径向纳米线太阳电池的制备方法，其特征在于：所述的氧化铝钝化层的厚度为1~5 nm。

4.如权利要求1所述的纳米硅/单晶硅异质结径向纳米线太阳电池的制备方法，其特-3 -2

征在于：所述的氧化锌导电层的厚度为10~20 nm，电阻率1×10 ~1×10 Ωcm。