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专利号: 2015104626610
申请人: 江汉大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 测量;测试
更新日期:2024-01-05
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种静态弱磁场检测装置,其特征在于,所述装置包括:磁场产生单元,包括三对导电薄板,所述三对导电薄板完全相同,每一对所述导电薄板中的两块导电薄板的形状大小完全相同,且两块所述导电薄板平行且相对设置,所述三对导电薄板互相垂直设置,且在所述三对导电薄板中间形成一矩形空间,每一对所述导电薄板均用于在电流作用下产生一个磁场;

磁场检测单元,设置在所述矩形空间的中心,用于检测所述矩形空间的中心的磁场的磁场强度;

电流产生单元,与所述磁场产生单元电连接,用于为所述磁场产生单元提供电流;

处理单元,分别与所述磁场检测单元和所述电流产生单元电连接,用于当所述磁场检测单元检测到的磁场强度为零时,根据所述电流产生单元提供的电流,计算静态弱磁场的磁场强度。

2.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述导电薄板为矩形。

-1

3.根据权利要求2所述的装置,其特征在于,所述导电薄板的长度的量级为10 m,所述-2导电薄板的宽度的量级为10 m。

4.根据权利要求3所述的装置,其特征在于,一对所述导电薄板中两块所述导电薄板-2之间垂直距离的量级为10 m。

5.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述处理单元,包括:第一处理子单元,用于根据所述电流产生单元提供的电流,计算所述磁场产生单元产生的磁场的磁场强度B;

第二处理子单元,用于根据所述磁场产生单元产生的磁场的磁场强度B,计算所述静态弱磁场的磁场强度B*。

6.根据权利要求5所述的装置,其特征在于,所述第一处理子单元,具体用于:根据如下公式,计算所述磁场产生单元产生的磁场的磁场强度B:其中,Bx、By、以及Bz分别为所述三对导电薄板分别产生的磁场的磁场强度,I1、I2、以及I3分别为所述电流产生单元向所述三对导电薄板中通入的电流大小,μ0为真空中的磁导率,m为所述导电薄板的宽度的一半,a为一对所述导电薄板中两块所述导电薄板之间垂直距离的一半。

7.根据权利要求5所述的装置,其特征在于,所述第二处理子单元,具体用于:根据以下公式计算所述静态弱磁场的磁场强度B*:B*=-B,其中,B为所述磁场产生单元产生的磁场的磁场强度。

8.根据权利要求1-7任一项所述的装置,其特征在于,所述处理单元还用于,当所述磁场检测单元检测到的磁场强度不为零时,控制所述电流产生单元输出的电流增大或减小。

9.根据权利要求1-7任一项所述的装置,其特征在于,所述磁场检测单元为磁场计。

10.根据权利要求9所述的装置,其特征在于,所述磁场计的精度为1nT。